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美光宣布向多个关键客户出样 HBM4 36GB 12Hi 内存

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美光宣布向多个关键客户出样 HBM4 36GB 12Hi 内存

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HBM4 ， 有了新进展 。
在AI计算时代 ， HBM有着举足轻重的地位 。 高带宽内存（HBM）是通过垂直堆叠多个DRAM芯片 ， 大幅提升数据处理速度 ， 超越传统DRAM的能力 ， 是一种高价值、高性能的产品 。 HBM的爆火伴随着2023年ChatGPT的出现 ， 它引发了人工智能市场的爆发式增长 。 自第一代HBM诞生以来 ， 这项技术已发展至第六代 ， 包括HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4 。
6 月 10 日消息 ， 美光美国爱达荷州博伊西当地时间今日宣布向多个关键客户交付其 HBM4 36GB 12Hi 内存样品 。
美光的 HBM4 36GB 12Hi 基于其成熟的 1? 工艺 24Gb DRAM Die 和 12 层堆叠封装技术 ， 每个堆栈的速度超过 2.0TB/s ， 性能较上代 HBM3E 提升 60% 以上 ， 同时能效也实现了 20% 的改进；此外其拥有强大的 MBIST 内存内置自检功能 。
美光表示其 HBM4 内存提升了逻辑 xPU 与内存间的数据交互 ， 让 AI 加速器能更快地响应并更有效地进行推理 。 该企业计划在 2026 年实现 HBM4 的产能爬坡 ， 与客户的下一代 AI 平台量产节奏保持一致 。
3月19日 ， 韩国半导体供应商SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4 ， 并在全球首次向主要客户提供其样品 。 SK海力士表示 ， 公司将在下半年完成量产准备 。
【美光宣布向多个关键客户出样 HBM4 36GB 12Hi 内存】HBM4属于第六代HBM产品 ， 英伟达将是SK海力士的首个客户 ， 用于明年的Rubin架构数据中心GPU上 。 SK海力士引入了在HBM3E获得认可的Advanced MR-MUF工艺 ， 从而在现有12层堆叠上达到了最大36GB容量 ， I/O接口速度达8Gbps ， 带宽可提高至2TB/s 。 新工艺不但能控制芯片的翘曲现象 ， 还有效提升了散热性能 ， 由此最大程度地提高了产品的稳定性 。
据SK海力士介绍 ， 4月在台积电北美技术论坛上展示的16层堆叠HBM4具有高达 48 GB 的容量、2.0 TB/s 带宽和额定 8.0 Gbps 的 I/O 速度 ， 其Logic Die则是由台积电代工 。 SK 海力士表示 ， 他们正在寻求在 2025 年下半年之前进行大规模生产 ， 这意味着该工艺最早可能在今年年底集成到产品中 。
SK海力士已经稳固了Nvidia AI半导体“Blackwell”系列HBM3E的主要供应商地位 ， 并且有望在全球率先供应预定于今年年底量产的下一代HBM4样品 ， 从而继续保持领先地位 。 截至去年第四季度 ， HBM 占 SK 海力士 DRAM 总销售额的 40% 以上 。
三星也正奋起直追 ， 计划在今年下半年启动HBM4的量产 。 三星存储业务负责人全永铉(Jun Young-hyun)表示 ， 三星在HBM市场未能先行 ， 导致这一领域的表现落后于竞争对手SK海力士(SK Hynix) 。 他强调 ， 三星不会在下一代HBM4和定制晶圆上重蹈覆辙 ， 所以要追赶上来 。
面对SK海力士在HBM领域的领先地位 ， 三星正在依托自身在存储芯片和晶圆代工领域的整合能力迎战 。 1月5日据韩国朝鲜日报报导 ， 三星DS部门存储业务部已完成了HBM4内存的逻辑芯片设计 。 Foundry业务部方面也已经根据该设计 ， 采用三星自己的4nm试产 。 待完成逻辑芯片最终性能验证后 ， 三星将提供HBM4样品验证 。 目标是在上半年内完成量产准备认可（PRA）程序 ， 外界推测这可能是未来与英伟达Rubin的发布时间相迎合 。
三星预计 ， 4nm晶圆代工工艺将加速HBM4生产 ， 使其在市场竞争中占据优势 。 4nm是三星的旗舰晶圆代工制造工艺 ， 其良率超过70% 。 目前 ， 该工艺已被用于Exynos 2400芯片 ， 该芯片是三星旗舰AI手机Galaxy S24系列的核心处理器 。
根据TrendForce集邦咨询最新研究 ， HBM技术发展受AI Server需求带动 ， 三大原厂积极推进HBM4产品进度 。 由于HBM4的I/O（输入/输出接口）数增加 ， 复杂的芯片设计使得晶圆面积增加 ， 且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能 ， 皆推升了成本 。 鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20% ， 预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30% 。

AI芯片领先厂商英伟达于今年GTC大会亮相最新Rubin GPU ， AMD则有MI400与之抗衡 ， 上述产品都将搭载HBM4 。
由于需求强劲 ， TrendForce集邦咨询预估2026年HBM市场总出货量预计将突破30Billion Gb ， HBM4的市占率则随着供应商持续放量而逐季提高 ， 预计于2026年下半正式超越HBM3e系列产品 ， 成为市场主流 。 至于供应商表现 ， 预期SK hynix将以过半的市占率稳居领导地位 ， Samsung与Micron（美光科技）仍待产品良率与产能表现进一步提升 ， 才有机会在HBM4市场迎头赶上 。
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