美光推出全球首款1γ工艺LPDDR5X内存_dram|ai|海力士

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美光已向部分客户提供基于1γ工艺的16GB LPDDR5X样品，并计划在2026年推出容量覆盖8GB至32GB的完整产品组合。
近日，美光科技宣布已开始向合作伙伴提供全球首款基于1γ（1-gamma）制程的低功耗LPDDR5X内存产品的验证样品。该产品专为旗舰智能手机中的AI应用加速而设计，不仅实现了业内最高的LPDDR5X速度——10.7 Gbps ，还可带来高达20%的功耗降低，为用户带来更流畅的移动体验和更长的电池续航，即使在执行如AI翻译或图像生成等数据密集型任务时也能从容应对。
为满足下一代智能手机对紧凑化设计的需求，美光在封装技术上再次突破，推出业内最薄的LPDDR5X封装，厚度仅为0.61毫米，相较竞品薄6% ，比上一代产品降低了14%的高度。如此小巧的尺寸，为折叠屏或超薄手机的设计提供了更大空间。
美光移动与客户端事业部副总裁兼总经理Mark Montierth表示：“基于1γ工艺的LPDDR5X内存为移动行业带来了颠覆性变革。它不仅具备超快速度和卓越的能效表现，还采用业内最薄封装，为全新手机形态奠定基础，展现了我们推动移动生态发展、实现卓越用户体验的承诺。 ”
图：美光推出全球首款1γ工艺LPDDR5X内存
在性能方面，该产品的10.7 Gbps带宽相较上一代1β（1-beta）工艺的7.5 Gbps实现了大幅提升。美光对大语言模型Llama 2在移动端的响应速度进行了评估，结果显示：

基于位置的餐厅推荐响应速度提升约30%；
将英语语音询问实时翻译成西班牙语文本的速度提升超过50%；
基于车型、价格和车载娱乐/安全功能的购车建议响应速度提升可达25% 。

这是美光首次在移动内存产品中采用EUV（极紫外光刻）技术，为客户提供更先进的性能与能效体验。该1γ工艺DRAM平台不仅继承了美光在高-K金属闸极等CMOS制程上的创新，还通过EUV提升了晶体管密度与位元容量。这一技术此前已用于2024年2月开始送样的1γ DDR5数据中心及客户端内存产品。
随着AI计算日益转向终端侧执行，低功耗芯片的重要性愈发凸显。智能手机、平板电脑及笔记本电脑等设备需在确保性能的同时最大限度降低能耗。美光全新LPDDR5X在实现高达20%功耗节省的同时，满足AI游戏、视频与智能应用的长时间运行需求。此外，随着AI技术驱动对高性能、低功耗计算的持续增长，数据中心、智能汽车及AI PC等领域也有望逐步引入该类LPDDR5X产品。
目前，美光已向部分客户提供基于1γ工艺的16GB LPDDR5X样品，并计划在2026年旗舰手机市场推出容量覆盖8GB至32GB的完整产品组合。
SK海力士已完成1c DDR5的大规模生产认证今年1月， SK海力士宣布已成功完成内存业界最先进 1c 纳米制程 DRAM 的批量产品认证，连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求，有望在完成量产交接手续后于2月初正式启动1c纳米DRAM量产。
值得一提的是， 2024年8月SK海力士宣布成功实现1c纳米工艺的16Gb DDR5-8000 DRAM内存开发。如果在今年2月成功量产，那么从开发成功到量产的半年时间，符合DRAM内存行业的一般新制程量产时间表。
【美光推出全球首款1γ工艺LPDDR5X内存】此外， SK海力士曾表示， 1c工艺技术将应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进DRAM主力产品群。
三星1c DRAM开发推迟至今年6月三星电子原计划于2024年底完成1c DRAM开发，但测试芯片良率未达目标，被迫将开发周期延长6个月到2025年6月才能完成，这也会使预定下半年量产的第六代高频宽內存（HBM4）一并延后。
尽管2024年底三星电子已产出首颗 “良品芯片” ，但良率仍低于 70% ，远未达到量产要求。业内分析认为良率不足可能与1c工艺引入的新材料、EUV 流程优化不足有关，导致制程稳定性不足。为解决良率问题，三星正在对 1c DRAM 进行设计修改，包括放大芯片尺寸以提升稳定性。这一策略虽能短期内改善良率，但可能牺牲性能密度，与SK海力士通过EUV优化和新材料实现的高生产率形成对比。
业界标准的产品开发周期约为18个月。三星于2022年12月完成了10nm第五代1b DRAM ，并于2023年5月开始量产。不过，其1c DRAM的进展一直未有最新消息。三星 1c DRAM延迟，那么其HBM产品的量产可能推迟到在2025年之后进行，这与三星先前宣布将于2025年下半年将1c DRAM制程用于HBM4、并量产的情况有所变化。
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