日本 Rapidus 公司在 2nm 工艺研发上持续推进 ， 其节点逻辑密度数据首次公开 ， 且明显与台积电 N2 工艺相当 。
在 2nm 技术竞赛中 ， Rapidus 极有可能与台积电展开竞争 ， 因其逻辑密度已达到同等水平 。
近几个月来 ， Rapidus 备受关注 ， 主要因其作为日本半导体领域的领军企业 ， 连英伟达也对其表示兴趣 。 该公司正研发代号为 “2HP” 的尖端 2nm 工艺 ， 据 @Kurnalsalts 透露 ， 2HP 的逻辑密度与台积电 N2 工艺相近 ， 更重要的是 ， 其密度大幅领先英特尔 18A 工艺 。 这表明 Rapidus 的工艺节点有望成为行业内最具竞争力的技术之一 ， 以 “黑马” 之姿闯入半导体赛道 。
披露的信息显示 ， Rapidus 2HP 的逻辑密度达 237.31 MTr/mm2 ， 与台积电 N2 当前宣称的 236.17 MTr/mm2 基本持平 。 该用户还分享了实现这一密度的单元库细节 ， 包括采用 G45 间距、单元高度 138 单位的高密度（HD）库 。 鉴于 N2 与 2HP 的密度相近 ， 说明两者均采用高密度单元设计 ， 旨在最大化逻辑密度 ， 且最终产品的晶体管数量可能相当 。
尽管英特尔的工艺节点标称尺寸更小 ， 但其 18A 工艺的密度据称为 184.21 MTr/mm2 。 这主要是因为 18A 在基准测试中使用了高密度库 ， 而另一个关键因素在于 ， 英特尔采用 BSPDN（背面供电网络）技术 ， 占用了部分正面金属层 ， 导致高密度库测量时密度数值下降 。 由于英特尔更关注单位功耗下的性能指标 ， 高密度并非其核心目标 ， 尤其是 18A 工艺主要服务于内部需求 。
【日本2nm重大进展 前景可观！数据首次公开：追平台积电，碾压intel】如今 ， Rapidus 2HP 的密度数据无疑彰显了其在半导体行业的重大进展 。 更值得关注的是 ， 这家日本企业采用了单晶圆前端工艺 —— 这种独特方案专注于针对小批量生产进行工艺调试 ， 再通过规模优化提升最终成果 。 Rapidus 计划于 2026 年第一季度向客户提供 2nm PDK（物理设计套件） ， 从现有信息来看 ， 该工艺节点前景可观 。
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