text":"在半导体产业里 ， 光刻机作为上游设备领域的代表性产品 ， 对产业发展起着决定性作用 ， 是推动芯片制程进步、引领行业发展的关键力量 。 近期 ， 半导体光刻机领域动作不断 ， 英特尔和三星等大厂提高了光刻机订单量；与此同时 ， 俄罗斯公布了光刻机研发路线图 ， 旨在推动本土芯片产业发展 。 01两家半导体大厂提高光刻机订单量根据外媒Techpowerup报道 ， 近日光刻机龙头ASML表示 ， 根据目前的订单信息和需求 ， 预计2027年将交付10套High-NA EUV和56套EUV光刻机 。 其中 ， 英特尔和三星最近都提高了光刻机的订单量 ， 英特尔将High-NA EUV的订购数量从1套提高到2套 ， EUV的订购数量从3套提高到5套 ， 三星也将EUV的订购数量从原本的5套提高到7套 。 业界指出 ， 随着芯片制程不断向2纳米以及2纳米以下迈进 ， EUV正逐渐逼近物理极限 ， 而High-NA EUV技术成为突破这一瓶颈的关键工具 。 高数值孔径 (High-NA)是EUV技术的进一步发展 ， 它是衡量镜头聚焦光线能力的指标 ， 数值越高 ， 分辨率越高 ， 则能够绘制更精细的电路图案 ， 能大幅缩短制造时间 ， 从而降低缺陷率并提高良率 。 不过 ， 能力越大价格也越高昂 ， ASML High-NA EUV每台设备高达3.8亿美元 。 由于成本高昂 ， 各家晶圆代工厂商对采用High-NA EUV的规划并不相同 。 英特尔计划在未来几年内利用该技术量产14A工艺 。 近期 ， 英特尔首席财务官David Zinsner对外透露 ， 下一代Intel 14A（1.4nm级）制程技术将是英特尔首个为代工客户量身设计的尖端制造工艺 ， 该工艺将采用ASML最新的0.55NA High-NA EUV光刻机Twinscan EXE:5200B 。 由于使用了High-NA EUV光刻机 ， 14A工艺的成本将高于18A 。 台积电相对谨慎 ， 该公司A16工艺仍将依赖Low-NA EUV技术 。 三星方面 ， 媒体报道今年3月三星安装了首台High-NA EUV设备 ， 用于1.4纳米芯片的生产 。 02俄罗斯光刻机技术路线图公布近期 ， 俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov在社交平台公布俄罗斯最新的光刻机研发路线图 。 路线图显示 ， 俄罗斯计划最快在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机的研发 ， 2032年前完成28nm分辨率的光刻机的研发 ， 在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机的研发 。 业界指出 ， 俄罗斯的光刻机研发技术路线与ASML完全不同 ， 主要体现在混合固态激光器、基于氙等离子体的光源 ， 以及由钌和铍（Ru/Be）制成的反射11.2纳米波长的镜片 。 比如 ， ASML EUV光刻机采用激光轰击金属锡滴产生波长为13.5nm的EUV光源 ， 通过反射镜收集并修正路线 ， 最终达到晶圆表面的光刻胶 。 但是金属锡会产生碎屑 ， 从而污染光掩模（也称光罩） 。 相比之下 ， 俄罗斯光刻机则选择采用的是基于氙（xenon）气的激光器来产生波长为11.2nm的EUV光源 ， 能将分辨率提升约20% ， 还可以简化设计并降低整个光学系统的成本 。 同时 ， 该设计还可减少光学元件的污染 ， 延长收集器和保护膜等关键零件的寿命 。 上述设备预计可覆盖65nm至9nm的制程需求 ， 适配2025-2027年主流关键工艺 。 每代设备均有望提升光学精度与扫描效率 ， 且单位成本结构有望低于ASML的Twinscan NXE和EXE平台 。 不过 ， 业界也指出 ， 俄罗斯自研的EUV光刻机技术目前还面临较高的技术与成本挑战 。 这些设备并非面向超大规模晶圆厂 ， 而是旨在为小型代工厂提供高性价比解决方案 。 若能完全落地 ， 该项目将以显著更低的资本与运营成本 ， 实现先进芯片的本土制造与出口供应 。 "
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