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芯片制造用最核心的设备之一光刻机 ， 发展到现在 ， 已经经历了6代 。
每一代都对应着不同的芯片工艺 ， 比如干式DUV光刻机 ， 是第四代 ， 也就是ArF光刻机 ， 采用193nm波长 ， 可以用于制造65nm的芯片 。
而第五代则是ArFi光刻机 ， 也称之为浸润式DUV光刻机 ， 同样是193nm的波长 ， 但经过一层水的介质后 ， 等效于134nm ， 可以用于制造7nm ， 甚至5nm的芯片 。
但5nm以下的芯片 ， 浸润式DUV光刻机就真的不行了 ， 必须使用到第六代 ， 也就是EUV光刻机 。
目前能够制造EUV光刻机的厂商 ， 全球就ASML一家 ， 而能制造浸润式DUV光刻机的厂商 ， 除了ASML之外 ， 还有尼康一家 。
而中国大陆的水平 ， 还在干式DUV光刻机 ， 也就是理论工艺65nm ， 通过多重曝光后 ， 理论是28nm的水平 。
这对于我们而言 ， 肯定是不够的 ， 所以一直以来 ， 别说EUV光刻机 ， 大家都期待能够国产浸润式DUV光刻机 。
不过 ， 从现在的情况来看 ， 国产浸润式DUV光刻机 ， 应该只差最后一步了 。
一台光刻机 ， 有三大核心 ， 分别是光源系统、物镜系统、工作台这么三部分 。
干式DUV光刻机 ， 国内已经能够制造了 。 所以干式DUV的光源系统 ， 物镜系统 ， 工作台 ， 我们的技术都实现了 。
而浸润式DUV光刻机 ， 与干式DUV光刻机 ， 只有一个区别 ， 那就是多了一套浸润式系统 ， 这套浸润式系统 ， 说的简单一点 ， 就是在晶圆上加了一层水 。
193nm波长的光线 ， 通过这层水折射变 ， 变成了134nm ， 然后再去照射硅晶圆 ， 将光掩模板上的芯片电路图 ， 刻录至硅晶圆上 。
很明显 ， 只要搞定了浸润式系统 ， 再利用现有的光源系统 ， 物镜系统 ， 工作台 ， 不就是浸润式DUV光刻机了么？
所以说 ， 真的只差最后一步了 ， 但是这一步并不容易 ， 因为浸润式系统 ， 说起来就是一层水 ， 但这一套系统可不简单 ， 涉及到了力学、材料学、物理学、光学等 。
【国产浸润式DUV光刻机，真的只差最后一步了】但不管怎么样 ， 这一步我们一定会跨过去的 ， 估计时间也不会太久了 ， 毕竟ASML 20年前的技术 ， 我们没道理还搞不定嘛 。
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