胡正明,中国科学院外籍院士( 六 )


在这种前提下,你制程工艺越小,微观尺度的影响越大,量子隧穿效应越明显,制程带来的性能提升越小,由于芯片面积减小发热更集中,在这个时候,制程进步已经是一个死局了 。所以只好在16/14nm节点引入了FinFET工艺,强行中和了制程缩小带来的副作用 。但是这治标不治本,量子力学是现代物理学三大基石之一,只要你制程越来越小,你就永远逃不出他的魔爪,而且制程越小受到的影响越大,这是宇宙决定的 。
在5nm制程附近,就会遇到严重的经济性问题,即制程缩小已经无法带来优异的半导体物理属性,更别说什么1nm以下了,除非你强行扭转物理定律,否则在这个尺度,无论你是用硅还是什么牛逼材质,电子一视同仁,根本不会鸟你的电路 。未来相当长一段时间的芯片不会依靠缩小制程来提升性能,需要依靠的是降低成本,改进工艺,扩大规模,优化架构 。

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