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【30亿光刻机出货,中国厂商却买不到,国产芯片如何实现突破?】
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近日 , 荷兰光刻机巨头ASML正式宣布 , 全球首台第二代High NA EUV光刻机EXE:5200已完成出货 , 首个客户为英特尔 , 单台售价接近30亿元人民币 。
据了解 , 这款设备是ASML对初代High NA EUV光刻机EXE:5000的升级版本 , 最引人注目的突破在于其晶圆处理能力的大幅提升 , 标志着半导体制造技术迈入全新阶段 。
相比初代EXE:5000每小时185片晶圆的处理速度 , 新款设备在吞吐量上进一步优化 , 能够更好地满足2nm及以下制程的大规模量产需求 。
这一进步对于降低先进制程芯片的生产成本至关重要 , 因为光刻机一直是芯片制造环节中最昂贵的设备 , 其生产效率直接决定晶圆厂的盈利能力 。
光学系统的革新是EXE:5200性能飞跃的核心 , EXE:5000与EXE:5200均采用了0.55NA数值孔径的光学系统 , 相较于上一代EUV光刻机0.33数值孔径的透镜 , 精度得到显著提高 。
数值孔径的提升 , 意味着光刻机能够实现更高的分辨率 , 为制造更微小的晶体管结构提供了可能 。
值得注意的是 , EXE:5200并非简单的性能提升版本 , 而是代表了EUV光刻技术的代际跨越 。
传统EUV光刻机的0.33 NA物理极限约在3nm节点 , 而High NA EUV则将这一极限推进至2nm及以下 , 未来甚至有望实现1nm制程 , 为未来五年内的芯片性能提升奠定了基础 。
但和以往一样的是 , 中国厂商必然是买不到这款全球顶尖光刻机 , 即使中国厂商愿意支付天价 , 也无法获得最先进的光刻技术 , 其背后原因自然是在美国 。
事实上 , 多层次的禁运体系如今早已形成 , 从EUV到DUV , 从设备到零部件 , 覆盖了芯片制造的各个环节 , 这种系统性封锁正在深刻影响中国半导体产业的发展轨迹 。
随着ASML新一代High NA EUV光刻机的问世 , 将全球半导体制造工艺推向2nm时代 , 国产芯片接下来与美国芯片的差距还将进一步扩大 。
目前中国最先进的量产工艺仍停留在7nm水平 , 这一代际差距正在引发产业界的深度焦虑 , 这种差距不仅是数字上的差别 , 更意味着性能、功耗、集成度等多方面的全面落后 。
尽管国内的一些方案得到了较大提升 , 但替代方案大多只能缓解部分问题 , 无法从根本上解决光刻技术代差带来的系统性劣势 。
面对这一现状 , 国产芯片要如何才能实现突破呢?事实上 , 现在中国半导体产业正采取两条腿走路的策略 , 并且道路已逐步清晰 。
一方面 , 通过国际采购尽可能延长现有进口设备的维护周期;另一方面 , 集中资源攻克被卡脖子的环节 , 构建自主可控的产业链 。
目前 , 中国已经出现了以上海微电子、中微半导体、北方华创等企业为首的制造设备企业;以华大九天为首的EDA工具研发企业;以中芯国际、华虹半导体则为首的生产线国产化企业 。
美国半导体协会的报告显示 , 中国的一系列措施已初显成效 , 中国大陆企业在28nm及以上的成熟芯片市场中 , 已占据全球超30%的市场份额 。
这表明 , 尽管在尖端领域仍面临封锁 , 中国在成熟制程市场的影响力正在稳步提升 , 为最终突破高端封锁奠定了产业基础 。
此外 , 中国半导体产业也正在开辟新的赛道 , 从量子芯片的另辟蹊径 , 到先进封装的曲线救国 , 再到全产业链的自主攻坚 , 一系列创新举措正在重塑中国半导体产业的发展轨迹 。
这种全产业链突破的模式虽然投入大、周期长 , 但却是构建自主可控生态的必由之路 , 而美国的制裁打压 , 客观上更是在推动中国半导体产业链的全面觉醒和协同攻关 。
中国半导体产业通过夯实成熟制程的基本盘 , 既能满足当下市场需求 , 又能为最终突破高端封锁积累技术和资金 , 我们相信未来终有一天 , 中国企业必能攻克难关!
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