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本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合
【LPDDR6内存标准,正式发布!】新版JESD209-6 LPDDR6 标准是内存技术的重大进步 , 在性能、能效和安全性方面均有提升 。
JEDEC 固态技术协会发布 JESD209-6 , 即最新的低功耗双倍数据速率 6(LPDDR6)标准 。 JESD209-6 旨在显著提升多种应用场景(包括移动设备和人工智能)的内存速度与效率 。 JEDEC 称 , 新版 JESD209-6 LPDDR6 标准是内存技术的重大进步 , 在性能、能效和安全性方面均有提升 。
高性能为支持人工智能应用及其他高性能工作负载 , LPDDR6 采用双子通道架构 , 在保持 32 字节小访问粒度的同时实现灵活操作 。 此外 , LPDDR6 的主要特性还包括:
- 每颗芯片含2 个子通道 , 每个子通道有 12 条数据信号线(DQs) , 以优化通道性能 。
- 每个子通道包含4 条命令 / 地址(CA)信号 , 经优化减少焊球数量并提高数据访问速度 。
- 静态效率模式 , 旨在支持大容量内存配置并最大化存储体资源利用率 。
- 灵活的数据访问 , 支持实时突发长度控制 , 可实现32B 和 64B 访问 。
- 动态写入NT-ODT(非目标片上终端) , 使内存能根据工作负载需求调整 ODT , 提升信号完整性 。
- 采用交替时钟命令输入 , 提升性能与效率 。
- 低功耗动态电压频率调节(DVFSL) , 在低频运行时降低 VDD2 电压 , 减少功耗 。
- 动态效率模式 , 在低功耗、低带宽场景下采用单子通道接口 。
- 支持部分自刷新和主动刷新 , 降低刷新功耗 。
- 每行激活计数(PRAC) , 支持 DRAM 数据完整性 。
- 定义隔离元模式 , 通过为关键任务分配特定内存区域 , 提升整体系统可靠性 。
- 支持可编程链路保护方案和片上纠错码(ECC) 。
- 能够支持命令/ 地址(CA)奇偶校验、错误清理以及内存内置自测试(MBIST) , 增强错误检测能力和系统可靠性 。
据悉 , 1c DRAM是DRAM制造的第六代工艺节点 , 相比前代技术 , 其晶体管密度更高、能效比更优 。 三星通过“设计变更”战略 , 将1c DRAM的冷态良率提升至50% , 热态良率达60%-70% , 并计划在韩国华城工厂建设新生产线 , 扩大产能 。 LPDDR6内存基于1c工艺开发 , 带宽和功耗表现显著提升 , 可满足AI模型训练、移动终端算力升级等场景对内存性能的严苛需求 。
据行业消息 , 高通下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存 , 并计划于今年9月23日的骁龙峰会上亮相 。
随着AI应用向终端设备下沉 , LPDDR6内存的带宽与能效成为关键竞争力 。 三星计划通过向高通等厂商供货 , 进一步渗透智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场 , 强化其技术壁垒 。 此外 , 三星还在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术 , 构建覆盖AI全场景的内存解决方案 。
目前 , 三星已制定1c DRAM扩产计划 , 预计最早于今年年底完成韩国华城工厂生产线建设 。 此外 , 该公司正同步开发DDR与LPDDR用1c DRAM , 打破传统开发顺序 , 加速商业化进程 。
LPDDR6 将取代现有的 LPDDR5 内存及其衍生版本 , 而 LPDDR5 标准早在 2019 年就已经发布 。 距离 LPDDR5 标准问世已有将近五年时间 , 在这段时间里 , 三星和美光推出了 LPDDR5x , SK 海力士也推出了 LPDDR5T , 其传输速率高达 9.6 Gbps 。 这些低功耗的 DRAM 内存非常适合智能手机、轻薄型设备甚至笔记本电脑 / 迷你台式机等强调低功耗的设备 。
采用LPDDR5 (X / T) 规格的内存模组正越来越多地出现在各种产品中 。 例如 , LPCAMM2 模组凭借其小巧的模块化外形尺寸、更大的容量和更高的可升级性 , 将彻底改变 PC 内存市场 。
此外 , 最近上市的LPCAMM2 模组采用了 LPDDR5 (X / T) 的变种 , 由于其小巧的模块化外形尺寸 , 能够提供更大的容量和可升级性 , 将改变 PC 市场格局 。
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