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SK海力士推迟1c DRAM投资

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SK海力士推迟1c DRAM投资

目前主要AI半导体公司对HBM4的需求比预期延迟了 ， 未来HBM4E的量产也可能会延迟 。
据韩媒报道 ， SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM（1c DRAM）的投资 ， 转而专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器（HBM）的生产 。
SK海力士2024年8月宣布成功开发1c 16Gb DDR5 DRAM ， 原计划在2024年年内完成1c DDR5 DRAM量产准备 ， 从2025年开始供应产品 。 与前一代1b工艺相比 ， SK海力士1c DRAM生产率提高30%以上 ， 将主要用于高性能数据中心 ， 其运行速度为8Gbps ， 与前一代相比速度提高了11% ， 能效提高了9%以上 。
SK海力士推迟1c DRAM量产线建设的原因在于 ， 包括英伟达在内的主要AI半导体公司正在源源不断地涌入HBM订单 。 SK海力士今年的HBM产能已经售罄 ， 明年的产能计划将在今年上半年完成与客户的最终协商 。 业界分析 ， HBM的盈利能力是普通DRAM的3-5倍 。 目前 ， HBM3 8层（24 GB）和HBM3E 8层（36 GB）产品售价分别在200美元出头和300美元出头 。 而计划在今年下半年及明年量产的HBM4 12层产品售价预计将超过600美元 。
鉴于此 ， SK海力士正专注于扩大其1b DRAM产能 ， 以作为HBM3E和HBM4核心芯片 。 其计划于下半年竣工的M15X也将安装1b DRAM量产线 。 SK海力士在4月举行的第一季度电话会议上也表示：“考虑到当前不确定的外部环境 ， 正如我们之前强调的那样 ， 我们将以需求可预见性高且盈利能力有保障的产品为中心进行投资 ， 并进一步提高投资效率 。 ”
据半导体设备业内人士透露 ， 目前主要AI半导体公司对HBM4的需求比预期延迟了 ， 未来HBM4E的量产也可能会延迟 。 考虑到需求和盈利能力 ， SK海力士不需要仓促投资1c DRAM 。 业界预计 ， SK海力士将在HBM4E量产后扩大1c DRAM的产能 。 SK海力士计划从HBM4E开始将1c DRAM用作核心芯片 。
HBM助力 ， SK海力士首超三星成全球DRAM冠军2025年第一季度 ， 三星在全球DRAM市场的份额大约为34% ， 而SK海力士的份额约为36% ， 导致三星失去了其在DRAM市场的领导地位 。 这是SK海力士首次在排名中超越了长期占据DRAM市场最大份额的竞争对手三星 ， 后者数十年来一直稳居DRAM最大供应商的地位 。
Counterpoint Research预计 ， SK海力士将在第二季度继续保持DRAM最大供应商的地位 。
值得注意的是 ， 这一排名变化背后是AI算力需求激增所推动的产业变革 。 尽管HBM产品仅占SK海力士动态随机存取存储器（DRAM）收入的15% ， 却成为其主要利润来源 。 在AI服务器市场需求激增的背景下 ， HBM业务推动了SK海力士营收与利润的双重增长 ， 从而实现了对三星的超越 。
据相关数据显示 ， 预计2023年至2026年期间 ， AI服务器的出货量年复合增长率将达到22% 。 在AI服务器出货量增长的带动下 ， 预计2024年HBM在AI领域的营收将占DRAM市场总额的20% 。 预计2025年HBM的需求将达到20.8亿千兆字节 ， 市场规模将突破311亿美元 ， 成为推动DRAM市场增长的主要动力 。
去年 ， SK海力士业绩创历史新高 ， 总销售额达66.19万亿韩元 ， 营业利润达23.47万亿韩元 。 HBM产品表现尤为突出 ， 占第四季度DRAM总销售额的40%以上 。 SK海力士预计 ， 在AI的推动下 ， 到2027年 ， HBM内存芯片的需求将以每年82%的速度增长 。
此前有报道称 ， SK海力士计划将年度设备投资（CAPEX）预算在原有基础上增加30% 。 消息人士透露 ， SK海力士原本计划今年投资22万亿韩元用于扩建设施 ， 但这一数字已提升至29万亿韩元 。 SK海力士也曾表示 ， 其投资策略将专注于那些已经确保盈利的产品 ， 在行动上 ， 公司也正将M10晶圆厂的部分产能（主要生产传统节点产品）转换为HBM工艺 。
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