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关注芯片行业的人都清楚 ， 这几年 ， 美国对中国芯片产业那是不断的出手 ， 甚至联合日本、荷兰等半导体设备强国 ， 进行围堵 。
美国的目标很明显 ， 那就是从三个芯片工艺方面 ， 来锁住中国芯片产业的发展 。
第一个方面 ， 同是逻辑芯片 ， 美国想锁死我们在14nm ， 无法往更小的工艺突破 。
第二个方面 ， 则是DRAM内存 ， 美国想要锁死我们在18nm ， 无法往再小的工艺上突破 。
第三个方面 ， 则是NAND闪存 ， 美国想要锁死我们在128层 ， 无法往更高层数上突破
为了达到这三个目标 ， 美国限制住了先进工艺的设备 ， 比如光刻机、清洗设备、离子注入机等 ， 不允许美国、日本、荷兰等的这些厂商 ， 卖给中国 。
不过 ， 从现在的情况来看 ， 美国想要锁死我们的三大芯片工艺 ， 已经全部被我们突破了 。
先看逻辑芯片方面 ， 中芯国际早在2019年就实现了14nmFinFET技术 ， 后来虽然没有再公开 ， 但华为麒麟9000S、麒麟9010、麒麟9020等是什么工艺？很明显 ， 这是等效于7nm的 ， 这不是突破是什么？
再说DRAM内存方面 ， 长鑫早在2023年底已低调启动DDR5颗粒量产及出货 ， 且其主流的DDR4与LPDDR4X颗粒采用的是17-18nm工艺 ， 而预计今年会推出下一代15nm制程 ， 另外长鑫也在加速从DDR4向DDR5/HBM迁移 。
数据显示 ， 截至2024年底时 ， 长鑫全球DRAM市场中的产能占比达到13% ， 出货量和销售额分别占全球市场的6%和3.7% 。
再说NAND闪存方面 ， 美国想要锁死我们在128层 ， 但早在2022年 ， 长存就成为了全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商 。
后来被美国限制 ， 无法买到先进设备 ， 但基于国产设备 ， 长存也实现了176层、232层3D NAND闪存的研发 ， 且也推出了新的产品 ， 这也是进行了突破 。
除了这些之外 ， 像华为的AI芯片追上了英伟达的H200 ， 小米有了3nm的芯片 ， 蔚来、小鹏等也有了5nm/4nm的汽车芯片 。
【美国想要锁死的三大芯片工艺，全被中国突破了】可以说 ， 美国的封锁计划 ， 是彻底失败了 ， 中国芯片在封锁下越来越强 ， 并且是全方面突破 ， 虽然与全球顶尖水平有差距 ， 但差距也是越来越小了 。
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