6月6日 ， 韩国媒体《Etoday》发表文章称 ， 近期 ， 中国半导体企业正快速从低成本通用存储器市场转向高规格、高附加值产品 。 特别是随着技术力的急速增长 ， 以长鑫存储为中心 ， 正在批量生产双数据率（DDR5）和高带宽存储器（HBM）等尖端产品 。 韩国业界认为 ， 韩国半导体企业在工艺完善度、良品率、市场响应速度等方面仍然拥有明显的技术优势 。
据市场研究公司TrendForce称 ， 中国长鑫存储计划在今年年底前逐步减少DDR4的出货量 。 尽管具体减产规模尚不清楚 ， 但有人猜测 ， 最早可能在今年年底停止发货 。
DDR4是代表性的低成本通用存储器 ， 广泛应用于PC、笔记本电脑、服务器等 。 长鑫存储预计将加速构建以韩国企业重点关注的DDR5、HBM等高规格、高附加值尖端产品为中心的产品组合 。
自去年以来 ， 长鑫存储通过发起低价攻势 ， 在DDR4市场取得了显著增长 。 长鑫存储的市场份额在2020年还不足1% ，， 但去年却迅速增长至5% 。 据市场研究公司Omdia预测 ， 长鑫存储今年的DRAM产能预计将从去年的162万片增至273万片 ， 增幅达68% 。 已经追到了市场第3位的美光公司的眼皮底下 。
然而 ， 韩国企业一直在加速推进“去通用化”战略 ， 全面对低收益产品进行结构调整 。 今年 ， 三星电子和SK海力士都大胆降低通用DRAM的比重 ， 集中进行以尖端存储器为中心的收益结构重组 。 三星电子计划将去年占DRAM总销售额30%以上的DDR4比重降低至个位数 。 SK海力士还大幅扩大了HBM的产能 ， 并建立了全球首款HBM3E（第5代）的量产体系 。
问题是 ， 长鑫存储近期在高端半导体市场也表现出了令人瞩目的动向 。 虽然在尖端市场中 ， 性能、可靠性、良品率稳定性、量产性等方面还存在较大差距 ， 但如果在确保技术实力的同时 ， 发起数量攻势 ， 必然会对韩国企业的盈利能力产生负面影响 。
事实上 ， 长鑫存储去年年底就开始量产DDR5 ， 最近又从现有的17纳米工艺转换至最新的16纳米工艺 。 该工艺与韩国企业2021年开始全面采用的10纳米级第三代工艺类似 ， 技术差距已缩小至三年左右 。 HBM目前已开始量产第三代产品HBM2E ， 目前正在开发HBM3（第四代） ， 目标是今年实现量产 。
专家表示 ， 中国在尖端产品市场占据优势需要一段时间 ， 但追赶速度非常快 。
【韩媒：中国长鑫存储加速向高端产品转型！】韩国电子技术研究院研究员李圭福表示 ， “长鑫存储等中国企业确实通过提高DRAM产量对韩国国内企业构成威胁 ， 但在先进技术方面仍然存在差距 ， 因此似乎很难立即赶上 。 ”他补充道：“当务之急是稳定设计和工艺 。 这样 ， 我们才能确保良品率 ， 保持市场优势 。 ”
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