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近几年中国芯片如同一颗冉冉升起的耀眼新星 ， 从华为麒麟芯片突破美国封锁 ， 到寒武纪AI芯片对英伟达的完美替代 ， 无一不代表着中国芯片产业的崛起 。
但国产芯片无论取得了怎样的成绩 ， 国外媒体和投行们依然在以“泼冷水”的方式唱衰中国半导体产业 。
近日 ， 国外投行高盛发布的一份研究报告引发业界广泛关注 ， 该报告指出中国国产光刻机目前仍停留在65nm工艺水平 ， 与国际巨头ASML相比存在约20年的技术差距 。
高盛认为 ， 尽管现阶段中芯国际等中国芯片制造商已经能够生产7纳米制程的芯片 ， 但这些芯片很可能是通过ASML较旧的深紫外光DUV光刻机生产的 。
报告还明确指出 ， 中国尚不具备制造这类先进光刻机的能力 ， 因为这些设备的核心零组件主要来自全球供应商 ， 尤其是美国和欧洲的供应商 。
高盛之所以要对中国半导体产业“泼冷水” ， 是因为光刻技术在晶圆上构建精细电路的关键环节中 ， 是芯片制造流程中最难的一步 ， 也是成本最高的环节 。
光刻机的成本通常占半导体生产线设备总成本的30% ， 其他设备大多需要围绕光刻机进行协同工作 。
而现在全球光刻机市场呈现高度垄断格局 ， ASML在全球光刻设备市场占据82.1%的份额 。
在7nm及以下先进制程所必需的EUV技术领域 ， ASML处于绝对垄断地位 ， EUV光刻机市占率高达100% 。
【国外投行最新报告：中国光刻机落后20年，西方依然遥遥领先！】即便是较高端的浸润式DUV光刻机 ， ASML也占据95%以上的市场份额 ， 形成了难以撼动的市场壁垒 。
而ASML能够取得今天这样的成果 ， 是经过了长达二十年时间 ， 并投入了高达400亿美元的研发与资本支出 ， 以及汇集了西方最先进的科技 ， 才有了最先进的EUV光刻机 。
目前ASML的最先进光刻机已经发展到第二代EUV极紫外光刻机 ， 最新的High-NA EUV光刻机已经开始交付给英特尔和台积电 ， 对于1.4nm及以下工艺至关重要 。
反观中国半导体产业 ， 虽然能够制造出7nm芯片 ， 但自研光刻机技术仍停留在65nm水平 。
中国目前公开的国产光刻机仍为ArF型号 ， 仅支持90nm工艺 ， 与ASML差距显著 ， 尚未突破浸润式DUV光刻机的自主制造 ， EUV光刻机的研发更是尚未触及 。
所以高盛认为 ， 即便中芯国际能生产出7nm制程的芯片 ， 但是这些7nm芯片仍然是通过ASML较旧的深紫外光DUV光刻机来生产制造的 。
事实上 ， 面对技术封锁 ， 中国正在探索多元化的追赶策略 。
在核心零部件领域 ， 华卓精科成功研发出光刻机双工件台系统 ， 成为全球第二家掌握此项核心技术的企业 。
百合光电研发的紫外LED光刻光源 ， 将使用寿命提升至3万小时 ， 是传统进口光源的30倍 ， 综合成本却降低至进口产品的1/3 ， 已被中芯国际列为战略供应商 。
另外前不久发布的制造强国建设进展通报显示 ， 28nm浸没式光刻机已完成产线验证 ， 国产化率达到83% ， 可覆盖汽车电子、工业控制等关键领域的芯片需求 。
即便如此 ， 高盛仍然对中国光刻机短期赶上西方先进技术的可能性持悲观态度 ， 但事实上技术发展并非简单的线性追赶 。
后发国家在特定技术领域实现跨越式发展并非不可能 ， 关键在于找到合适的切入点和发展路径 ， 比如中国的航天产业、新能源汽车等 ， 都已经反超西方国家了 。
如今全球半导体产业正在经历新的技术变革 ， 包括3D堆叠、新型材料和量子器件等前沿技术的兴起 ， 极有可能为技术追赶提供新的机会窗口 。
西方盲目的自信 ， 更有可能在未来二三十年间重蹈覆辙 ， 因为在这些新兴领域 ， 起跑线相对平等 ， 而中国企业最擅长的就是在新的赛道上超越西方！
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