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9月2日消息 ， 据外资投行高盛最新发布的研究报告称 ， 虽然中国近年来在半导体领域发展迅速 ， 但是在半导体制造关键环节的光刻机研发上仍存在瓶颈 ， 而中国国产光刻机目前仍停留在65纳米 ， 至少落后国际大厂20年的时间 。
目前制造5nm及以下更先进制程的芯片需要依靠极紫外光（EUV）光刻机 ， 而埃米级制程则需要用到更先进的高数值孔径（High NA）EUV光刻机 ， 目前这些最先进的光刻机只有荷兰公司 ASML能够制造 。 但由于ASML的这些光刻机仍依赖于美国原产的关键零部件 ， 这也使得美国政府能够限制它们对中国的销售 。
美国和荷兰政府的禁令对中国科技产业造成了深远影响 ， 这也使得中国本土的晶圆制造商难以获取先进的光刻机 ， 先进制程的芯片制造水平目前仍停留在7nm级别 。
高盛在报告中指出 ， 即便中芯国际能生产出7nm制程的芯片 ， 但是这些7nm芯片极有可能还是通过ASML较旧的深紫外光（DUV）光刻机来生产制造 ， 因为中国目前尚不具备制造这类先进光刻机的能力 ， 因为这些设备的核心零组件主要来自全球供应商 ， 尤其是美国和欧洲的供应商 。
光刻技术是在晶圆上构建精细电路的关键 ， 这也使其成为芯片制造流程中的决定性瓶颈 。目前 ， 全球领先的芯片制造商如台积电正利用ASML的光刻机大规模生产3nm芯片 ， 并即将量产2nm芯片 。而中国国产的光刻机的技术水平仍停留在相对陈旧的65nm制程 。
高盛的报告还引述了公开数据强调 ， ASML为了从65nm技术跃升至低于3nm的光刻能力 ， 经过了二十年的时间 ， 并投入了高达400亿美元的研发与资本支出 。综合考量中国当前技术水平与所需庞大投入 ， 以及全球供应链的复杂依赖性 ， 高盛认为中国光刻机厂商在短期内赶上西方先进技术的可能性较小 。这无疑为中国在高端芯片领域达成自给自足的愿望 ， 设下了巨大的障碍 。
【高盛：中国光刻机仍停留在65nm，落后ASML约20年！】编辑：芯智讯-浪客剑
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