台积电尴尬了,日本的2nm芯片,晶体管密度更高

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台积电尴尬了,日本的2nm芯片,晶体管密度更高

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众所周知 , 现在的芯片是越来越先进了 , 从14nm , 到10nm , 到7nm , 5nm , 3nm……今年更是要推出2nm 。
不过内行人都清楚 , 这些数字其实都是游戏 , 因为自14nm之后 , 所谓的XXnm都是等效工艺 , 实际真正等于多少 , 只有晶圆厂自己清楚 。

所以 , 进入14nm后 , 台积电的10nm , 本来就不会和三星的10nm一样的工艺 , 也不会和intel的10nm一样 , 看谁会吹牛 , 谁会包装 , 看谁会营销 , 仅此而已 。
但与此同时 , 芯片工艺还是要有一个评判标准的 , 毕竟也不是谁会吹 , 就谁厉害的 , 所以业内认为 , 拿晶体管密度来对比最为稳妥 , 也是最为关键的指标 。
因为芯片的性能强弱 , 是由晶圆中的晶体管数量来决定的 , 同样面积下 , 晶体管密度越高 , 代表着性能越强 , 也代表着技术最强 。

所以如上图所示 , 曾经网上流传一张表 , 显示的三星、台积电、intel三大企业在相关工艺节点时 , 大家的晶体管密度 。
根据这张图 , 大家就觉得intel最强 , 台积电次之 , 三星最垃圾 , 因为从晶体管密度来看 , 同样的工艺下 , 英特尔最高 , 台积电中间 , 三星最差 。

但近日 , 我们发现进入2nm之后 , 其实台积电的工艺也并不是最强了 , 因为日本这次的2nm芯片 , 其晶体管密度 , 比台积电更强一些了 。
如上图所示 , 这是媒体报道的 , 关于日本新创晶圆代工企业Rapidus 的 2nm(2HP)工艺晶体管密度 , 可以看到其密度比台积电的 2nm(N2)更高 , 远高于intel的18A 。
Raipadus的2nm , 晶体管密度是237.31MTr , 也就是2.3731亿个每平方毫米 , 而台积电是236.17MTr , intel的18A是184.21MTr 。

不知道 , 台积电看了这个数据 , 会怎么看?有人认为 , 随着芯片工艺竞争加剧 , 未来大家的工艺会越来越忽悠 , 因为反正都是数字游戏 , 想怎么讲就怎么讲 , 现在还只是开始 。
【台积电尴尬了,日本的2nm芯片,晶体管密度更高】所以未来什么1nm、0.7nm、0.5nm这些工艺 , 数字更小 , 忽悠的成份更多 , 都是在玩概念 , 造噱头 , 你觉得呢?

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