如果通过PP阶段 ， 三星HBM4将有望在11月或12月实现量产 。
据报道 ， 半导体行业消息人士透露 ， 三星电子上个月交付给英伟达的HBM4样品已通过初始原型和质量测试 ， 并将于本月底进入“预生产（PP）”阶段 。 “预生产”指半导体芯片量产前实施的最终验证阶段 ， 需要测试其与客户 GPU 产品的兼容性 ， 以及在特定温度下能否满足高质量标准 。
三星电子上个月提供的 HBM4 原型只是一个“工程样品” ， 用于验证其运行情况 。 预生产阶段完成后 ， 将开始向量产过渡 。 消息人士透露：“据我了解 ， 它们在质量和良率方面都获得了积极评价 ， 并且已经进入了PP阶段 。 如果通过PP阶段 ， 将有望在11月或12月实现量产 。 ”
HBM4将用于英伟达下一代AI加速器Rubin 。 目前作为英伟达HBM独家供应商的SK海力士已于3月交付HBM4样品 ， 并于6月初开始批量供货 ， 计划于10月开始量产 。 三星电子若通过预生产阶段 ， 将于11月开始量产 ， 迅速缩小与SK海力士的差距 。 另有消息称 ， 三星电子的12层HBM3E产品也将通过英伟达的质量测试 ， 并于本月下旬开始交付 。 业界认为 ， 近期英伟达与SK海力士就HBM数量和价格同时进行谈判 ， 是因为三星电子即将交付HBM 。
如果三星电子成功向英伟达供应HBM3E和HBM4 ， 预计明年AI内存市场格局将出现大幅波动 。 今年上半年 ， 三星电子在HBM市场的份额大幅下降至 17% ， 而去年同期为41% 。 同期 ， SK海力士的份额从55% 增至 62% ， 美光的份额从 4% 增至 21% 。 金融行业预测 ， 三星电子明年的HBM销售额增长率可能翻一番以上 。
此外 ， 随着HBM销售额的增长 ， 三星电子也有可能在美国进行大规模追加投资 ， 例如将平泽工厂的DRAM出口到美国 ， 并在当地进行HBM封装 ， 以规避美国关税 。
【三星HBM4样品已通过英伟达测试，本月预生产】关于HBM4的供应 ， 三星电子表示：“我们无法确认任何与客户相关的细节 。 ”
SK海力士HBM4较HBM3E溢价最高70%据相关报道 ， SK海力士今年上半年向英伟达供应的12层HBM4产品单价在500美元左右 ， 比12层HBM3E产品单价（约300美元）高出60%至70% 。 这一溢价的背后 ， 是英伟达与SK海力士就其高性能AI芯片Rubin平台的HBM4首批采购事宜展开了早期谈判 。 英伟达对此表示不满 。 SK海力士表示 ， 价格尚未最终确定 ， 目前无法透露与英伟达谈判的具体细节 。
价格上涨的重要原因是首批HBM4产品设计和工艺复杂度的显著提升 。 尤其值得一提的是 ， 从HBM4开始 ， 负责计算处理的“基础芯片”（Base Die）采用基于台积电4纳米工艺的代工工艺制造 。 这种结构所需的加工成本是标准DRAM的两倍多 ， I/O数量也比上一代增加了一倍多 ， 这增加了制造复杂性和成本 。
截至今年上半年 ， SK海力士几乎是英伟达12层HBM3E产品的独家供应商 。 在HBM3E业绩的带动下 ， SK海力士营收创下历史新高 。 SK海力士还积极向英伟达供应12层HBM4样品 ， 争夺明年Rubin平台的领先地位 。 不过 ， 下半年扩大产量的谈判进展缓慢 ， 三星电子和美光公司都在向英伟达提供了HBM4样品 ， 试图实现供应链多元化 。 英伟达表示将在确认两家公司的质量测试结果后最终确定价格和产量谈判 。
有分析认为在2024年至2025年期间 ， 受AI半导体需求激增的推动 ， HBM市场年增长率预计将超过60% 。 HBM4是下一代高附加值存储器 ， 与HBM3E相比 ， 带宽和能效显著提升 ， 预计将被应用于主流GPU和AI服务器芯片 。
英伟达自研HBM基础裸片有报道称 ， 英伟达已开始开发自己的HBM基础裸片 ， 预计英伟达的自研HBM基础裸片采用3nm工艺制造 ， 计划在2027年下半年进行小批量试产 。 并且这一时间点大致对应Rubin后的下一代AI GPU Feynman 。 有分析指出 ， 英伟达此举或是将部分GPU功能集成到基础裸片中 ， 旨在提高HBM和GPU的整体性能 。 英伟达会将UCIe接口集成到HBM4中 ， 以实现GPU和CPU直接连接 。
英伟达可能会在2027年上半年首先采用SK海力士供应的标准HBM4E ， 然后从2027年下半年至2028年期间过渡到自己的定制HBM4E设计 。 未来 ， 英伟达HBM内存供应链将采用内存原厂DRAM Die + 英伟达 Base Die 的组合模式 。
英伟达自研Base Die有助于加强其对 HBM 内存的议价能力 ， 利于向Base Die导入一系列高级功能 ， 且能为采用NVLink Fusion IP的第三方ASIC提供更多模块化组合 。
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