
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合
三星计划在其HBM4产品中使用1c DRAM , 而SK海力士则计划在同一类别中采用上一代1b DRAM 。
在全球存储芯片行业最新战场——10纳米级第六代DRAM领域(1c、11-12纳米级)竞赛中 , 三星电子与SK海力士采取了截然不同的策略 。
为了从上一代产品的挫折中恢复过来 , 三星迅速采取行动 , 投资新的生产设施 , 而 SK 海力士则推迟大规模支出 , 直到在与包括 Nvidia 在内的主要客户谈判中确认明年的供应承诺 , 确保盈利能力 。
预计三星将比SK海力士提前三到四个月开始量产1c DRAM 。 分析师表示 , 如果三星成功向英伟达供应采用新工艺生产的DRAM的第四代高带宽内存(HBM4) , 它有望重夺约30年来首次失去的市场领先地位 。
【HBM4,路线各不同】每一代 DRAM 都采用更先进的制程技术 , 通过缩小电路线宽来减小芯片尺寸并提高密度 , 从而提升性能和能效 。 三星、SK 海力士和美国美光科技公司目前正在 10 纳米级第四代(1a、14 纳米级)和第五代(1b、11-12 纳米级)DRAM 市场展开竞争 。 业内观察人士预计 , 1c DRAM 的竞争将从明年开始升温 。
据业内人士8月11日透露 , 三星已于第一季度开始陆续订购1c DRAM生产设备 。 该公司自今年上半年以来一直在采购DRAM制造工具 , 预计将于年底完成生产线建设 , 并全面投入量产 。 SK海力士计划最早于第三季度开始订购设备 , 并计划于明年实现量产 。
三星一直试图在1c DRAM产量上超越SK海力士 , 以弥补其1a和1b产品线的失误 。 近年来 , 该公司一直致力于解决DRAM质量问题 , 这些问题严重到需要重新设计已量产的芯片 。 这些问题也影响了其HBM产量 , 导致HBM市场出现亏损 , 并让三星失去了近30年来一直保持的DRAM市场领先地位 。
市场追踪机构 Omdia 报告称 , 2025 年第一季度 , SK 海力士占据了 DRAM 市场 36.9% 的份额 , 超过三星(份额为 38.6%) , 位居第二 。
三星计划在其 HBM4 产品中使用 1c DRAM , 而 SK 海力士则计划在同一类别中采用上一代 1b DRAM 。 由于三星在 HBM 领域落后于 SK 海力士 , 因此它寄希望于 DRAM 的代际飞跃来确保性能优势 。 第二季度 , 三星向其最大的 HBM 客户英伟达交付了 HBM4 样品 , 目前正在进行质量测试 。 SK 海力士已于第一季度向英伟达交付了 HBM4 样品 , 并正在就明年的供应量进行磋商 。
SK海力士计划在今年下半年大规模订购1c DRAM设备 。 尽管其1c DRAM技术被认为已准备好立即量产 , 但该公司仍采取谨慎的策略 , 专注于为英伟达和其他主要客户生产基于1b DRAM的第五代HBM(HBM3E) 。 SK海力士计划在第三季度敲定明年的供应协议 , 并在盈利能力得到保证后继续投资 。
据悉 , 在即将于本月25日举行的韩美峰会上 , 人工智能(AI)半导体成为重要议题 , 三星电子、SK海力士等韩国主要半导体企业正在敲定对美国的追加投资计划 。 报道成为 , 三星电子在获得特斯拉、苹果等大型科技客户大额订单后 , 正积极考虑扩大当地投资 , 包括向去年底投资计划中未包括的封装设施追加10万亿韩元(约合72亿美元) 。
三星电子原计划向位于美国德克萨斯州泰勒市的晶圆代工(半导体代工)工厂投资440亿美元 , 但由于去年底业绩不佳 , 该公司调整投资节奏 , 投资计划随后下调至370亿美元 。 最初的投资计划包括4nm和2nm晶圆代工工厂、先进封装设施以及先进技术研发设施 。 然而 , 由于当时难以获得客户 , 导致先进封装设施的 70 亿美元投资全部被放弃 。
然而 , 三星电子于7月28日与特斯拉签署了价值23万亿韩元(165亿美元)的AI芯片的多年供应合同 , 并在短短十天后成功获得苹果图像传感器的订单 , 这进一步凸显了其建设尖端封装工厂的必要性 。 为了规避美国关税压力 , 从核心芯片制造到后期处理 , 所有环节都必须在本地完成 。 三星电子在争取大型科技客户方面最重要的优势在于其集内存、晶圆代工和封装于一体的交钥匙服务 。
三星电子对于美国的追加投资 , 预计不仅在封装方面 , 在设备和材料方面的投资也将增加 。 截至今年第一季度末 , 泰勒Fab 1工厂的建设已完成91.8% , 预计将于10月底竣工 。 三星电子计划在年内先完成洁净室的建设 , 然后在明年陆续安装半导体生产设备 。 一家为泰勒工厂供应半导体材料的公司的高管表示:“据我了解 , 由于预期本地投资将增加 , 目前正在就扩大供应进行商谈 。 ”
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