【比佳能先进？国产纳米压印光刻机交付，线宽<10nm，制造5nm芯片？】
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目前的芯片制造 ， 均基于光刻方案 ， 需要光刻机 。
而7nm以下芯片的制造 ， 更是离不开EUV光刻机 ， 而EUV光刻机全球仅ASML一家能够制造 ， 它不仅绑定了众多核心供应链 ， 还在专利上有着广泛的布局 。
所以其它厂商 ， 要想从EUV这条线上去突破 ， 其实是非常难的 。
所以一直以来 ， 众多的厂商 ， 都在采取不同的方式 ， 希望推出实现EUV功能的光刻机 ， 比如佳能搞纳米压印 ， 欧洲在研究DSA技术 ， 美国在研究BEL电子束技术 ， 俄罗斯研究X射线等 。
其实大家都是想走一条与ASML的EUV光同的路线 。
而比较成功的是佳能 ， 之前推出了一款纳米压印光刻系统 ， 其售价只有EUV光刻机的10%左右 ， 耗电量也只有EUV 技术的10% ， 线宽<14nm ， 按照佳能的说法 ， 可以用于5nm芯片的制造 。
不过 ， 佳能的这种设备 ， 也无法卖给中国 ， 中国想要突破EUV光刻机的封锁 ， 还得自己努力 。
而近日 ， 传出好消息 ， 那就是中国自己的纳米压印设备 ， 终于也有突破了 。
据“璞璘科技”微信公众号消息 ， 璞璘科技自主设计研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备顺利通过验收并交付至国内特色工艺客户 。
按照说法 ， 这台纳米压印设备 ， 可对应线宽＜10nm 的纳米压印光刻工艺 ， 能够用于储存芯片、硅基微显、硅光及先进封装等领域 ， 并且已经完成了验证 。
而佳能的纳米压印线宽<14nm ， 即可以制造5nm芯片 ， 这不意味着我们的这一台设备 ， 一样可以用于5nm甚至5nm以下的设备？
事实上 ， 纳米压印机 ， 与EUV光刻机有很大的不同 。
一方面是纳米压印机 ， 功率较低 ， 其实是无法用于大规模的芯片制造的 ， 因为效率较低 。 其次 ， 纳米压印机 ， 其实不太适合用于复杂的逻辑制程的芯片制造 。
因为逻辑芯片 ， 图形结构复杂 ， 拥有数十层不同的电路结构 ， 而压印技术是一层一层来的 ， 不同的电路结构 ， 就要换不同的压印头 ， 这个相当复杂 ， 且成本高 。
纳米压印机 ， 更多的适合电路图形简单且单一的芯片 ， 最后是多层电路图相同的那种 ， 所以更多用于存储芯片、封装等领域 。
目前这台国产的纳米压印机到底如何 ， 我们先让子弹飞一会 ， 但至少可以证明 ， 我们已经打破了佳能的垄断 ， 在纳米压印上 ， 有了自己的底气了 。
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