
全球存储解决方案领导者铠侠宣布 , 其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样 。 该产品计划于 2025 年投入量产 , 旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案 。 此外 , 这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中 , 特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用 。
【铠侠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存储器开始送样】为应对尖端应用市场的多样化需求 , 同时提供兼具投资效益与竞争力的产品 , 铠侠将继续推行“双轨并行”策略 , 即:
第九代 BiCS FLASH? 产品: 采用 CBA(CMOS directly Bonded to Array , 外围电路直接键合到存储阵列)技术 , 将现有的存储单元技术与最新的 CMOS 技术相结合 , 在降低生产成本的同时实现卓越性能 。第十代 BiCS FLASH? 产品:通过增加存储单元的堆叠层数 , 满足未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求 。全新的第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 基于第五代 BiCS FLASH? 技术的 120 层堆叠工艺与先进的 CMOS 技术开发而成 。 与铠侠现有的相同容量(512Gb)的 BiCS FLASH? 产品相比 , 其性能实现了显著提升 , 包括:
写入性能:提升 61% 读取性能:提升 12% 能效:写入操作能效提升 36% , 读取操作能效提升 27% 数据传输速度:支持 Toggle DDR6.0 接口 , 可实现高达 3.6Gb/s 的 NAND 接口传输速率 位密度:通过先进的横向缩放技术提升 8% 位密度此外 , 铠侠确认 , 在演示条件下 , 该 512Gb TLC 的 NAND 接口速度可达 4.8Gb/s 。 其产品线将根据市场需求确定 。
铠侠始终致力于深化全球合作伙伴关系 , 并持续推动技术创新 , 为客户提供满足其多样化需求的最佳存储解决方案 。
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