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AMD 最新聚焦 DRAM 的专利实现了内存带宽翻倍 ， 其核心并非依赖更快的 DRAM 硅片 ， 而是通过改变模块级逻辑设计达成 。
AMD 专利突破：无需升级 DRAM 硅片即可翻倍内存带宽硬件层面的升级往往存在局限性 ， 因其不可避免伴随架构迭代或逻辑 / 半导体利用率重构的 “额外成本” 。 然而 ， AMD 的最新专利展示了一种更直接的技术路径 ， 成功将 DDR5 内存带宽输出翻倍 ， 该技术被其命名为 “高带宽 DIMM”（HB-DIMM） 。 这项专利并未单纯聚焦 DRAM 工艺升级 ， 而是通过集成寄存器 / 时钟驱动器（RCD）和数据缓冲芯片来提升内存带宽 ， 本质上是针对 DIMM 模块的架构革新 。
【AMD最新专利：内存带宽翻倍！】
AMD's HB-DIMM Patent
技术实现细节解析专利显示 ， HB-DIMM 技术的核心并非优化 DRAM 本身 —— 通过简单的时序重调和多路复用 ， 内存带宽从每引脚 6.4 Gb/s 提升至 12.8 Gb/s ， 实现输出翻倍 。 具体而言 ， AMD 借助 RCD 整合板载数据缓冲器 ， 将两路标准速率的 DRAM 数据流合并为一路高速数据流传输至处理器 ， 从而在分配给主机系统时使带宽翻倍 。
应用场景与拓展可能该方案主要面向 AI 等带宽敏感型工作负载 ， 同时专利中还提及一项与 APU/iGPU 相关的有趣设计：采用双物理层（PHY）架构 —— 标准 DDR5 PHY 与新增的 HB-DIMM PHY 。 其中 ， 较大的内存池由 DDR5 提供 ， 而较小的部分则通过 HB-DIMM 技术实现数据高速传输 。
使用 APU 实施 HB-DIMM
对于 APU 而言 ， 这种设计在设备端 AI 场景中优势显著：当系统处理需要海量数据流的 AI 任务时 ， 可优先保障更快的响应速度 。 随着边缘 AI 在传统系统中重要性与日俱增 ， 该方案将为 AMD 带来显著竞争力 。 值得注意的是 ， 这一方案的潜在缺点是高内存带宽可能导致功耗上升 ， 因此需要配套高效的散热机制 。
技术积累与行业定位作为内存领域的领军企业之一 ， AMD 与 SK 海力士合作研发 HBM（高带宽内存）的经历已彰显其技术积淀 。 HB-DIMM 方案的突破性在于 ， 它无需依赖 DRAM 硅片工艺进步 ， 即可实现内存带宽的翻倍提升 ， 这一思路为未来内存技术发展提供了新的可能性 。
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