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HBM4时代来了，内存芯片升温

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HBM4时代来了，内存芯片升温

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本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
【HBM4时代来了，内存芯片升温】SK 海力士率先破局 。

近日 ， SK 海力士宣布在全球率先建立第六代高带宽存储器（HBM4）量产体系 ， 这一消息标志着下一代存储器芯片新一轮技术竞赛正式拉开帷幕 。
作为高带宽存储器领域的重要进展 ， HBM4 的出现是为了满足人工智能数据中心日益增长的性能需求 。 人工智能工作负载对于数据处理速度和内存带宽有着极高要求 ， 传统内存技术在面对这些复杂任务时逐渐力不从心 ， HBM4 的诞生可谓恰逢其时 。 它通过垂直连接多个 DRAM 芯片 ， 显著提升了数据处理速度 ， 成为推动 AI 技术进一步发展的关键因素 。
据报道 ， SK 海力士的国内主要竞争对手三星电子也已完成 HBM4 的内部开发 ， 正紧锣密鼓地准备投入生产 。 两家韩国科技巨头均已向英伟达发送了样品 ， 而英伟达计划在其定于 2026 年发布的下一代 “Rubin” AI 加速器中采用 HBM4 。 这一系列动作表明 ， HBM4 在 AI 领域的应用前景广阔 ， 各大厂商都希望借此抢占市场先机 。 随着 HBM4 量产时间的日益临近 ， 韩国媒体将目光聚焦在三大焦点问题上：SK 海力士与三星的战略分歧、新设备供应商的崛起 ， 以及竞争对手的快速追赶态势 。
三星的“创新” vs. SK 海力士的 “稳定”在人工智能数据中心对性能要求呈指数级增长的背景下 ， 内存设计和制造被推向了更为复杂的技术领域 。 业界此前曾普遍猜测 ， HBM4 的生产或许需要全新的混合键合技术 ， 以实现更高的性能和集成度 。 然而 ， SK 海力士却选择了一条更为稳健的路径 ， 采用其成熟的 MR - MUF 技术的增强版本 。
MR - MUF 技术的核心在于 ， 在层间注入并固化液体保护材料 ， 以此改善散热效果 ， 并在 DRAM 堆叠过程中最大程度减少翘曲现象 ， 这一技术长期以来都是 SK 海力士提升 HBM 性能的重要手段 。 此次应用于 HBM4 的制造 ， SK 海力士的 HBM4 采用在 10nm 节点制造的 1b DRAM（第五代）构建 ， 而基础芯片则由台积电运用其 12nm 工艺制造 。 这种组合方式在保证技术稳定性的同时 ， 能够充分利用现有成熟技术的优势 ， 快速实现量产 。
与之形成鲜明对比的是 ， 三星采取了更为激进的创新策略 。 三星在更为先进的节点上使用1c DRAM（第六代） ， 并利用自家的 4nm 代工工艺内部制造基础芯片 。 从理论上讲 ， 这种做法有望大幅提升产品性能 ， 但同时也伴随着更高的风险和技术复杂性 。 先进节点的技术虽然潜力巨大 ， 但在实际生产过程中 ， 可能面临诸如良率难以提升、成本过高等问题 。
简而言之 ， 当前HBM 市场的领导者 SK 海力士 ， 正通过强调可靠性和可扩展性 ， 巩固其市场地位；而挑战者三星则押注于技术差异化 ， 试图凭借创新重新夺回市场份额 。 这两种截然不同的战略选择 ， 反映出两家公司对于市场趋势和自身优势的不同判断 ， 也为 HBM4 市场的竞争增添了更多不确定性 。
新玩家涌现SK 海力士与三星在技术路线上的分歧 ， 不仅体现在芯片制造环节 ， 也在设备供应商领域引发了连锁反应 。 在 HBM 键合设备领域 ， 韩美半导体长期占据领先地位 。 近期 ， 韩美半导体在 SEMICON Taiwan 2025 展会上展示了一款升级版热压键合机（TC Bonder） 。 这款设备针对 HBM4 的生产需求进行了优化 ， 有望提高生产效率和产品质量 。 然而 ， 其混合键合系统的推出时间却相对滞后 ， 预计要到 2027 年底才能面市 。
与此同时 ， 新兴企业韩华半导体公司却展现出了惊人的进取姿态 ， 宣称最早将于2026 年推出自己的混合键合系统 。 如果韩华半导体能够如期实现这一目标 ， 无疑将对现有的 HBM 键合设备市场格局产生巨大冲击 。 混合键合技术作为下一代先进封装的关键技术之一 ， 对于提高芯片集成度和性能具有重要意义 。 韩华半导体的介入 ， 将使得该领域的竞争更加激烈 ， 也为芯片制造商提供了更多选择 。
其他地区加速追赶尽管全球HBM 市场的焦点主要集中在 “三巨头”——SK 海力士、三星和美光身上 ， 但不容忽视的是 ， 中国在该领域正以惊人的速度追赶 。
在江苏举办的第十三届半导体设备、核心部件及材料展览会（CSEAC 2025）上 ， 这种追赶的决心和实力得到了充分体现 。 参展商不仅展示了 3D DRAM 概念 ， 还推出了用于 HBM 封装的实际热粘合设备 。 这一系列展示清晰地表明了中国正在通过不断投入研发和技术创新 ， 逐步缩小与国际领先水平的差距 。
从技术发展的角度来看 ， 业内普遍估计 ， 中国与韩国在先进DRAM 技术方面的差距已缩小至仅两到三年 。 这一快速追赶的态势 ， 得益于在半导体产业的大规模投入 ， 包括建设先进的研发中心、培养专业的技术人才以及完善产业链配套等 。 随着技术差距的不断缩小 ， 中国的半导体企业有望在全球 HBM 市场中占据更重要的地位 ， 对现有市场格局产生深远影响 。
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