17999的iPhone用了“更差”的闪存,但我觉得这是好事

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托尼发现一个事儿 , 今年的新 iPhone , 起售价很有求生欲 , 但是顶配版的价格越来越离谱了 。。。
就说今年 iPhone 17 Pro Max 的顶配提供了最高 2TB 的内存选项 , 价格来到了惊人的 17999 人民币 , 是有史以来最贵的 iPhone ——相比 1TB 版本 13999 的售价 , 这多出来的 1TB 存储价值 4000 块!
这可是四千块钱啊 。。。 且不论这四千能买几块 2T 的 SSD, 再加点甚至都能在某补贴平台买到 iPhone 16 了 。
然而 “ 贵 ” 还不是最令人破防的事情 —— 结合各种爆料以及我们从资深业内了解到的供应链消息 ,这次 2TB 版本的 iPhone 17 Pro Max 用的很可能是 QLC( Quad-Level Cell )的 NAND 闪存 。
相关的消息去年就有爆料

换句话说 , 苹果又在手机上实现了一次 “ 世界第一 ”, 并且 2TB 的容量只是一方面 , 重点是实现的方式:
没有像以往其他手机厂商一样 , 直接使用两颗低容量的 TLC 闪存拼接成阵列(比如坚果 R1 使用两颗 512GB 存储颗粒组成了 1TB) , 而是直接定制了单颗容量 2TB 的 QLC 闪存颗粒 。
但是这下子 , 惹的很多讨厌 QLC 闪存的小伙伴不开心了 。
可能还有些朋友不了解 QLC 、也不知道为什么大家对这个 QLC 有这么大恶意 , 这里托尼就给大家简单介绍一下几种 NAND 存储单元类型的区别 —— 一般来讲常见的 NAND 存储单元类型有 SLC、MLC、TLC 和 QLC 这几种 。
首先 NAND 闪存的基本原理都是 “ 浮栅晶体管 ”, 这里我就不上课了 , 感兴趣的差友们可以去 B 站 up “ 爱上半导体 ” 那里了解一下 , 动画做得非常直观 。
【17999的iPhone用了“更差”的闪存,但我觉得这是好事】
而今天大家只需要知道闪存存储数据的原理 , 就是判断某一个晶体管是不是形成通电的回路 , 通电 or 不通电分别代表 0 或者 1, 这也是最基础的 , SLC( Single-Level Cell )闪存的运作方式 , 通过存储简单的 0 或者 1, 每个存储单元存储 1 bit 数据 。
下面 MLC( Multi-Level Cell )则可以存储 2 bit 数据 , 在二进制里就是 11、10 、01 和 00 ;TLC 则存储 3 bit 数据 , 以此类推 ,我们今天的主角 QLC 则是一个存储单元存储 4 bit 数据 。

也因为 QLC 每个单元能存更多 bit, 这让单位容量的晶圆和封装成本被摊薄 , 所以成本最低 。
看似 QLC 性价比最高 , 应该最厉害是吧 —— 但问题正是出在它存的东西多 , 也得要求更精细的电压控制 。
如果把 SLC 的浮栅晶体管比作水杯 , 我们往里倒水 , 倒到上半杯是 0, 而下半杯是 1, 只有两个状态 。 所以我即便是手抖了也不要紧 , 只要倒个大概别人就会知道我表达的是 0 还是 1。
而 QLC 因为存储了 4 bit 数据 , 就相当于把水杯分成了 16 份 , 我手要是抖了、多倒了或者少倒了一点 , 就没法正确表达我的意思了 。

是的 ,QLC 的电压区间非常窄 , 所以容错率很低 , 存储和擦除都要更费劲 , 也就更慢 。 而 NAND 的写入需要对浮栅电容充电放电 , 每次这样循环都会损伤氧化层 , 所以相对而言 QLC 的使用寿命自然也就更低 。
根据金士顿官方的科普文档 , 如果 SLC 的寿命是 10 万次擦写 , MLC 的寿命则为 1 万次 , TLC 只剩下 3000 次 , 到了 QLC 这里 , 就只剩下 1000 次擦写了 。

也正是因为 QLC 闪存颗粒的寿命明显低于 TLC, 并且 QLC 本身读写速度相对也更慢的原因 , 很多用户 , 特别是 PC 玩家们 , 并不待见 QLC 颗粒的固态硬盘 。
成本低、性能差 , 果子你不厚道?。 ∥一ù蠹矍蚨ヅ?, 你就给我用这个玩意?

哎 。。。 讲到这里差友们也先别激动 , 托尼倒是觉得 , 苹果用 QLC 闪存也没啥太大的问题 。
首先这寿命方面的问题大家就没必要太过于担心 , 因为从使用场景上考虑 , 也许你并不会反复擦写那么多次 。
不信的话我们来算一笔数学账:咱们以一个 1TB 的 QLC 硬盘来举例子 ,假设它的擦写次数只有 1000 次 , 那么这块硬盘累计可以写入 1000TB 的数据 , 就算你每天都高强度玩手机 , 每天都能写入 200G 这么多 , 可以连续用 5000 天 , 也就是快 14 年 。

而且单从这个公式来看 , 硬盘的容量越大寿命越高 , 果子这个 2T 的 QLC 硬盘理论上会有接近 30 年的使用寿命 。
但是这里不得不提到一个写入放大系数的概念 , 因为写入并不是 “ 直接把数据写到某个格子里 ”,NAND 闪存的特性必须要把整块数据擦除 , 而不能单独修改某个小单元 , 这样一来 , 实际写入到 NAND 的数据量就比用户写入的数据量要多 。
但就算我们考虑到这个问题 , 并把这个系数假设成 2.5 ( 已经算相当高了 ), 在每天 200GB 的写入量下 , 2T 的 QLC 闪存仍可以用 11 年之久 。

所以说俺们普通用户 , 完全没必要担心 QLC 的寿命问题 , 退一万步讲、再怎么说 ,QLC 的寿命在一台手机的生命周期里也是妥妥的 。
更别说现在大部分 QLC 都是采用的 3D NAND 堆叠 , 通俗点的比喻就是盖房子 , 以前的 2D NAND 就是在平面上横向盖平房 , 而 3D NAND 就好比是平地起高楼 , 3D NAND QLC 单元面积更大、电荷存储更稳定 , 相比 2D QLC 寿命提升不少 。

其次为了解决 QLC 娘胎里带的速度慢的问题 , 现在广泛采用的一个方式是 “ SLC 缓存 ”。
它的原理是把一部分 QLC 的空间临时当成 SLC 使 , 只存 1 bit, 所以这部分缓存的写入更快、更耐用 。 日常的一些文件都可以存在这个 SLC 缓存里 , 然后再在后台慢慢刷到 QLC 里面 。
一种 TLC 的 SLC 缓存 , 原理上跟 QLC 的 SLC 缓存一致

当然这个法子也有缺陷 , SLC 缓存满了之后就很容易掉速 , 但你只要不是长时间大文件写入一般不会有问题 。
我知道肯定有朋友会说录视频 , 特别是 ProRes Raw 这种占空间巨大的格式会不会有问题 , 但苹果也不傻 , 毕竟是主打拍摄的 Pro 才给 2T 的内存 , 通过给足 SLC 缓存或者多 die 并行写入的方式都可以有效缓解 , 所以大伙儿也没必要太担心 。
苹果选 2T QLC 闪存还有一些客观原因 —— 大家可能已经注意到 iPhone 的主板越来越小 , 集成度越来越高了 , 如果 2T 这么大的容量还是用 TLC 堆叠 die, 硬盘的封装会更厚 , 占用的地方会更大 , 这或许也是更小一号 iPhone 17 Pro 没法上 2T 的原因 。

最后 , 托尼要说明这篇文章是借着果果端出来的 2T 金存储给大家整点小科普 ——
大家都喜欢便宜又好用的东西 , 但是 QLC 闪存作为用在手机上的新技术 , 我们也没必要当成是什么洪水猛兽 , 以后随着供应链的成熟 , 别的厂家或许也会跟进 , 我们到时候可以用不变甚至更低的价格买到更大存储的手机 。
这是好事儿啊 。

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