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抢跑2nm，曝三星Exynos 2600进入原型生产阶段

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抢跑2nm，曝三星Exynos 2600进入原型生产阶段

三星电子预计在今年年底前启动Exynos 2600芯片的风险试产 。
据报道 ， 三星晶圆代工厂已开始批量生产Exynos 2600原型芯片 ， 这款采用2nm制程节点的处理器将成为Exynos芯片的里程碑 ， 在早前测试阶段 ， 该芯片良品率达到30% ， 目前晶圆投入量与良率均有所提升 。
据悉 ， 三星晶圆代工部门与系统LSI芯片设计部门自上月起展开联合攻关 ， 目标是在保持性能不变的前提下 ， 将Exynos 2600的良品率提升至50%以上 。
三星电子预计在今年年底前启动Exynos 2600芯片的风险试产 ， 该阶段将完成芯片质量验证与功能测试 ， 并在分析制程安全性和良率达标后才会正式进入量产阶段 。 若Exynos 2600顺利通过验证且良率达到预期 ， 量产工作将于今年末启动 ， 明年2月登场的Galaxy S26系列将全球首发Exynos 2600 ， 成为行业内第一款搭载2nm芯片的高端旗舰 ， 领先高通、联发科和苹果 ， 后三家巨头最快会在明年下半年商用2nm芯片 。
值得注意的是 ， 整个半导体行业都在密切关注Exynos 2600的表现 ， 这将是首款采用三星晶圆厂2nm制程的芯片 ， 其成败将直接影响三星在先进制程领域的地位 。 由于台积电是4月1日起接受2纳米晶圆订单 ， 从时间上看三星稍占先机 ， 但能否抢下高价值客户仍有待观察 。
台积电2nm良率超90%根据《经济日报》最新报道 ， 台积电目前2nm芯片的良品率已突破90% 。 能取得这样的进展 ， 关键在于架构上的变革 。 2nm工艺不再使用过去3nm和5nm常见的FinFET（鳍式场效应晶体管）架构 ， 而是采用了基于GAA（环绕式栅极）技术的MBCFET结构 ， 有效解决了制程微缩带来的漏电难题 。
此外 ， 台积电在纳米片堆叠技术上的多年深耕 ， 再加上极紫外光（EUV）设备的加持 ， 使得2nm制程的整体良率在短时间内实现大幅提升 。 去年7月刚启动2nm风险试产时 ， 良率还只有60%左右 ， 如今短短半年已攀升至90%以上 ， 成长速度惊人 。
供应链消息指出 ， 台积电可能在今年下半年正式启动2nm的量产准备 。 目前 ， 其在新竹宝山区建设的四座超级晶圆厂（占地超过90公顷）也已进入冲刺阶段 ， 预计将在2025年全面量产 。 从订单情况来看 ， 2nm芯片市场的前景已经被验证 。 台积电目前收到的2nm订单数量已是当年5nm初期的四倍 。 作为配套 ， 晶圆切割厂商 Kinik 已紧急扩充研磨工具产能至每月5万片 ， 为2nm芯片的推进全力配合 。
而在海外 ， 台积电位于美国亚利桑那州的N4制程工厂也在加快脚步 。 当前该厂月产能已达1.5万片 ， 未来还将提升至2.4万片 ， 基本处于满载状态 。 苹果、英伟达、高通、博通等美国科技公司都是台积电的主要客户 。
不过 ， 美国本土制造成本高 ， 此前有消息称 ， 亚利桑那工厂的代工报价或将上涨30% 。 即便如此 ， 客户依然愿意为先进制程买单 。 台积电总裁魏哲家曾总结 ， 制程每推进一代 ， 芯片性能可提升30%-40% ， 能耗则下降20%-30% ， 这种提升是当前算力增长不可替代的路径 。
英特尔1.8nm ， 即将量产近日 ， 英特尔新任CEO陈立武宣布 ， Intel 18A制程已进入风险试产阶段 ， 计划于年内实现量产 。 陈立武强调 ， 18A是Intel重回工艺领先的关键节点 ， 技术团队将继续优化PDK与制程能力 ， 以确保量产交付与客户需求匹配 。 18A对应1.8纳米 ， 是英特尔自2021年启动“四年五个制程节点”计划以来 ， 为扭转其晶圆代工业务表现 ， 重夺工艺制程领先地位而提出的规划制程 ， 其正式对标的是台积电与三星的2纳米 。
根据英特尔官方释出的信息 ， 其18A工艺采用RibbonFET闸极全环绕晶体管与PowerVia背面供电技术 ， 提升性能与能效 ， 特别针对AI与高性能计算场景优化 。 在业界看来 ， 这意味着英特尔更押注架构创新 ， 18A制程通过PowerVia技术将电源网络从芯片正面移至背面 ， 在提升晶体管密度的同时降低功耗 ， 成为业界首个实现背面供电商业化的工艺节点 。
据悉 ， 英特尔在18A节点上其代工业务吸引了43家潜在客户测试芯片 ， 包括全球Top10芯片设计公司中的7家 。 英特尔前CEO帕特·基辛格也曾在内部会议上透露 ， 18A已有大额预付款承诺 。
而除18A外 ， 英特尔在此前的路线图中还计划未来通过14A（1.4纳米）节点进一步巩固领先优势 。 根据此前披露的消息 ， 英特尔14A制程将采用高数值孔径EUV光刻技术 ， 性能功耗比再提升15%—20% 。
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