芯片工艺照妖镜:晶体管密度,三星3nm=台积电5nm=英特尔7nm

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芯片工艺照妖镜:晶体管密度,三星3nm=台积电5nm=英特尔7nm

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芯片工艺照妖镜:晶体管密度,三星3nm=台积电5nm=英特尔7nm

众所周知 ,自从芯片工艺进入14nm之后 , 所谓的XX纳米 , 就是数字游戏了 。
不像以前 , XX纳米 , 是与芯片本身的栅级宽度对应的 , 但自从进入14nm之后 , 这些早就不对应了 , 且各大厂商的工艺也不一致了 。
高通的高管 , 甚至直白的讲 , 所谓的XX纳米 , 只是营销需要而已 , 晶圆厂喜欢把数字搞的小一点 , 显得技术更厉害 。
【芯片工艺照妖镜:晶体管密度,三星3nm=台积电5nm=英特尔7nm】
这背后的意思就是 , 所谓的5nm , 不一定是5nm , 3nm也不一定是3nm , 特别是各大厂商的同一种工艺 , 比如都是5nm , 技术指标可能完全不一样 。
就像英特尔 , 将自己的工艺改成intel4、intel3、intel18A之类的一样 , 并不代表工艺就真的是4nm、3nm、1.8nm了 , 只是厂商自己这么叫的 。
那么问题来了 , 在这样的情况之下 , 那么三星的5nm、台积电的5nm、英特尔的5nm , 是一样的么?怎么来判断究竟谁更强?

其实有一个非常重要的指标 , 基本上只要看这个指标 , 大家就会明白究竟谁是在忽悠 , 谁是真材实料了 , 这个指标就是晶体管密度 , 也被人称之为芯片工艺的照妖镜 。
如下图所示 , 这是目前几家最顶尖的大厂 , 10nm及以下工艺的晶体管密度 , 单位是每平方毫米 , 多少亿个晶体管 。

可以看到 , 在10nm时 , 明显英特尔更厉害 , 每平方毫米高达1.06亿个 , 而三星、台积电差不多 , 大约在0.5亿个左右 , 约是英特尔的一半左右 。
而到了7nm时 , intel也是最厉害 , 有1.8亿个左右 , 而三星、台积电大约是0.95亿个 , 也约是英特尔的一半 , 这时候三大厂商其实还是相对靠谱的 。

但是到了5nm时 , 差距就来了 , 英特尔依然保持着稳定 , 高达3亿个晶体管每平方毫米 , 而台积电也提升了很大 , 达到了1.73亿个 , 但是三得明显忽悠了 , 只有1.27亿个了 , 提升有限 。
而到3nm时 , 就更加明显了 , intel高达5.2亿个 , 台积电提升到2.9亿个 , 而三星是1.7亿个左右 , 落后更多了 。

从这个可以看出来 , 三星的3nm , 相当于台积电的5nm , intel的7nm , 足以证明三星的3nm工艺有多水了 。
偏偏三星的3nm工艺良率还不行 , 难怪高通等厂商 , 纷纷转单 , 不和三星玩了 , 良率低 , 工艺掺水 , 和台积电5nm一个水平 , 谁和你玩啊 。
后续其实大家看谁的工艺更强 , 不要只看表面的XX纳米 , 真正最有效的还是看晶体管密度 , 一看一个准 。

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