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近日 ， 根据2025 IEEE国际固态电路会议议程透露的信息 ， 三星正开发其第十代V-NAND技术 ， 突破了400层的技术瓶颈 ， 三星目前的第九代3D NAND技术已达到286层 。
400层以上的新技术细节
存储密度：新一代NAND芯片的密度为28 Gb/mm2 ， 采用TLC架构 。
速度提升：第九代V-NAND支持3.2 Gbps的数据传输速度 ， 而第十代400层以上技术可支持每针脚5.6 Gbps的速度 ， 提升幅度高达75% ， 能够适配PCIe 5和更快的PCIe 6接口 。
创新工艺：新技术采用“WF-Bonding”（晶圆对晶圆键合）工艺 ， 这种工艺将两个已经完成单元或电路制造的NAND晶圆结合 ， 优化了芯片的扩展性、性能和产量 。
当前 ， 市场中已量产的最高层数为SK hynix的321层 ， 紧随其后的是三星的286层以及美光的276层 。 而西部数据和铠侠的BiCS技术则量产了218层芯片 ， 同时也在开发300层以上的BiCS 9代技术 。 长江存储正在开发300层的NAND芯片 。
更多层的NAND技术意味着存储密度的进一步提升 。 目前 ， Solidigm则使用192层技术生产QLC芯片 ， 并基于这些芯片推出了高达122 TB容量的SSD——Solidigm D5-P5336 。
【三星第十代3D NAND将突破400层，速度提升75%】三星目前基于第七代V-NAND（176层）的BM1743 SSD已实现61.44 TB容量 。 随着第九代286层和第十代400层以上技术的应用 ， 更高容量的存储设备（如256 TB甚至512 TB的SSD）将成为可能 。
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