【美国芯片再遭重击，1.8纳米芯片10颗坏9颗，梦想破灭！】
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美国力求在芯片制造方面重夺全球牛耳 ， 为此美国给钱给资源扶持美国本土芯片龙头Intel ， 不过日前外媒传出对美国芯片行业不利的消息 ， 指Intel的1.8纳米工艺生产遭遇难题 ， 良率低至一成 ， 生产的芯片10颗坏9颗 。
导致Intel的1.8纳米出现如此重大问题 ， 可能在于Intel同时采用了多项技术所致 ， Intel为全球首家采用2纳米EUV光刻机生产芯片的厂商 ， 而在1.8纳米工艺上又采用了全新的Nanosheet技术 ， 多项技术同时采用导致Intel的芯片良率超低 。
对于2纳米EUV光刻机 ， 美国是刻意扶持Intel了 ， 在美国的压力下 ， 光刻机巨头ASML将今年量产的10台2纳米EUV光刻机中的6台给了Intel ， 可以看出美国对Intel的偏袒 。
这对于Intel来说固然是利好 ， 不过对于台积电来说却未必是坏事 ， 当年研发7纳米的时候 ， 由于技术难度太大 ， 台积电就没有在7纳米工艺上采用第一代EUV光刻机 ， 而是用原来的DUV光刻机开发出第一代7纳米 ， 结果是率先引入第一代EUV光刻机的三星量产7纳米落后了 。
2纳米EUV光刻机的技术难度就更大了 ， Intel率先引入将可能面临着许多技术难题 ， 台积电让Intel率先尝试 ， 而自己留下时间来吃透2纳米EUV光刻机 ， 然后再导入生产线 ， 反而可能再次实现后来者居上 。
至于在先进工艺上引入全新的技术 ， 台积电和三星同样较量过 。 在3纳米工艺上 ， 台积电仍然采取了保守的策略 ， 继续用FinFET技术 ， 而三星为了在3纳米工艺上彻底超越台积电 ， 再次率先采用全新的GAA技术 ， 结果台积电的3纳米工艺良率达到55% ， 而三星的3纳米如今也只有20%左右 。
原因就在于先进工艺面临的变数太多 ， 同时引入多项技术和新设备 ， 可能导致芯片制造企业面临太多技术困难 ， 最终是哪个都没搞好 ， 将生产技术变成夹生饭 ， 从第一代EUV光刻机和GAA技术的引入都可以看出三星得到教训 。
相比起台积电和三星 ， Intel从2014年量产14纳米工艺之后 ， 在技术研发进展方面就一直落后 ， 可以说芯片制造技术方面甚至还不如三星 ， 如此情况下Intel如此激进地同时采用全新的2纳米EUV光刻机以及Nanosheet技术 ， 非常可能导致1.8纳米良率低至如此地步 。
如今的Intel也正处于风雨飘摇之中 ， 近几年来不时出现亏损 ， 今年以来更是连续三个季度亏损 ， 连连的亏损以及市场被AMD抢走 ， 导致CEO基辛格已在近期被董事会迫使退休 ， 人心动荡之下 ， Intel的开发技术难度极高的1.8纳米更有可能出现问题 。
Intel开发1.8纳米出现问题 ， 不仅仅是Intel自身的损失 ， 更是整个美国芯片行业的损失 ， 代表着美国芯片试图掌控芯片牛耳的图谋失败了 ， 美国倾力扶持Intel ， 结果得到的是如此结果 ， 未来美国芯片行业将更加依赖台积电 。
美国芯片遭受挫折 ， 台积电可不会坐视机会 ， 据悉台积电已提出要求提高芯片代工价格一成 ， 面对美国遭受的挫折 ， 美国芯片普遍无奈接受 ， 台积电也日益成为芯片行业的赢家 ， 净利润率已超过四成 ， 这样的利润率水平比美国许多强大的科技企业都要高得多 。
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