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当地时间12月2日 ， 美国《联邦公报》网站公布了由美国商务部工业和安全局（BIS）修订的新的《出口管制条例》（EAR） ， 在正式将140家中国半导体相关企业列入了实体清单的同时 ， 还公布了对于高带宽内存（HBM）的出口管制规则 。
随着生成式人工智能（AI）的持续火爆 ， 市场对于高性能AI芯片的需求暴涨 ， 这也直接带动了此类AI芯片内部所集成的HBM（高带宽内存）需求的爆发 。 所谓HBM ， 是指通过多个DRAM芯粒3D堆叠而成的 ， 具备高带宽、高存储密度、低功耗和紧凑尺寸等优势 。 HBM往往与GPU、AI ASIC直接集成封装在一颗芯片当中 ， 这也直接提升了数据搬运的效率 ， 无论在AI和HPC应用中 ， 其带来的高带宽、高容量、低时延特性 ， 对大模型训练和推理效率的提升至关重要 。
对于美国来说 ， 为了阻止中国AI产业的发展 ， 自2022年10月就开始出台限制政策 ， 直接限制中国获取外部先进的AI芯片以及内部制造先进AI芯片的能力 。 而HBM作为高性能AI芯片所需的关键元件 ， 自然也就成为了美国限制的一个方面 。
在BIS最新公布的限制规则当中 ， 对于之前针对存储芯片的“高级节点集成电路”限制进行了更新 ， 加入了新的限制规则 。 具体来说 ， 包括符合以下任何标准的集成电路都将受到限制：
（1） 使用非平面晶体管架构或具有16/14纳米或更小“生产”“技术节点”的逻辑集成电路；
（2） 128层或更多层的NAND存储器集成电路；或
（3） 动态随机存取存储器（DRAM）集成电路 ， 具有：（i） 存储单元面积小于0.0019μm2；或（ii）存储器密度大于0.288Gb/mm2 。
可以看到 ， 新增的第三条限制就是针对HBM的 ， 因为HBM就是将多个DRAM通过TSV工艺堆叠封装在一起 ， 因此其存储单元面积和密度必然会比较高 。
【美国对华HBM出口管制规则公布：三大HBM原厂均受限！】新规则不仅适用于美国原产的 HBM， 同时还将限制根据先进计算外国直接产品 (FDP) 规则受 EAR 约束的外国生产的 HBM 。 新规中规定仅当 3A090.c 项的Memory bandwidth density小于3.3 GB/s/mm2 时 ， 才可获得HBM例外以进行出口、再出口或转让（国内） 。 只有小于此参数的 HBM 才可获得例外许可授权 。
此许可例外授权出口、再出口和转让（国内） ， 前提是：(1) 出口、再出口或转让（国内）由包装场所完成 ， 即使包装场所位于受关注的国家境内 ， 也由美国或盟国总部的公司拥有和运营 ， 从而减轻了对这些目的地的国家安全担忧；(2) 美国或盟国总部的公司仔细跟踪包装场所发送和返回的 HBM ， 并解决差异或向 BIS 报告 。
按照分析 ， 该限制将使得包括HBM2和HBM3、HBM3e等所有HBM芯片的对华出口将会受限 。 并且 ， SK海力士、美光和三星是全球主要的三家HBM供应商的相关HBM对华出口都将会受限 。
不过 ， 新增的规则只适用于单独HBM堆栈 ， 对于整个芯片封装系统中的板载HBM则排除在外 ， 也就是说英伟达等厂商的对华特供的AI芯片上封装的HBM是不受限制的 ， 即英伟达的H20之类的AI芯片上封装的HBM不受该规则影响 ， 适用于之前的针对AI芯片的 3A090a 和 3A090b规则限制 ， 即对于性能密度和带宽的限制 。
编辑：芯智讯-浪客剑
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