三星平泽5号工厂计划最早于下个月全面开工 。
据报道 ， 三星电子正在加速建设位于平泽的第五家工厂 ， 工人们正在现场搬运钢结构并接受安全培训 。 据悉 ， 该工厂计划最早于下个月全面开工 。
三星电子原本计划去年启动第五工厂的建设 ， 但由于半导体业绩不佳、内存订单不足 ， 该公司调整了设备投资时机 ， 放慢了建设步伐 。 三星电子平泽工厂占地289万平方米 ， 是全球最大的半导体生产基地 。 工厂共有六处厂房 。 自2017年第一家工厂投入运营以来 ， 第四家工厂的部分厂房目前已投入运营 。
去年随第五工厂一起延期的第四工厂剩余生产线也正在准备复工 ， 预计下个月开始垂直钢结构安装 。 第五工厂将配备一条10纳米第六代（1c）DRAM生产线 。 三星电子计划采用1c工艺批量生产用于第六代产品HBM4的DRAM 。
三星电子近期已通过HBM4的内部量产审批 ， 并正在准备进行样品生产 ， 以便与客户进行供货谈判 。
三星电子上个月交付给英伟达的HBM4样品已通过初始原型和质量测试 ， 并将于本月底进入“预生产（PP）”阶段 。 “预生产”指半导体芯片量产前实施的最终验证阶段 ， 需要测试其与客户 GPU 产品的兼容性 ， 以及在特定温度下能否满足高质量标准 。
三星电子上个月提供的 HBM4 原型只是一个“工程样品” ， 用于验证其运行情况 。 预生产阶段完成后 ， 将开始向量产过渡 。 消息人士透露：“据我了解 ， 它们在质量和良率方面都获得了积极评价 ， 并且已经进入了PP阶段 。 如果通过PP阶段 ， 将有望在11月或12月实现量产 。 ”
HBM4将用于英伟达下一代AI加速器Rubin 。 目前作为英伟达HBM独家供应商的SK海力士已于3月交付HBM4样品 ， 并于6月初开始批量供货 ， 计划于10月开始量产 。 三星电子若通过预生产阶段 ， 将于11月开始量产 ， 迅速缩小与SK海力士的差距 。 另有消息称 ， 三星电子的12层HBM3E产品也将通过英伟达的质量测试 ， 并于本月下旬开始交付 。 业界认为 ， 近期英伟达与SK海力士就HBM数量和价格同时进行谈判 ， 是因为三星电子即将交付HBM 。
如果三星电子成功向英伟达供应HBM3E和HBM4 ， 预计明年AI内存市场格局将出现大幅波动 。 今年上半年 ， 三星电子在HBM市场的份额大幅下降至 17% ， 而去年同期为41% 。 同期 ， SK海力士的份额从55% 增至 62% ， 美光的份额从 4% 增至 21% 。 金融行业预测 ， 三星电子明年的HBM销售额增长率可能翻一番以上 。
此外 ， 随着HBM销售额的增长 ， 三星电子也有可能在美国进行大规模追加投资 ， 例如将平泽工厂的DRAM出口到美国 ， 并在当地进行HBM封装 ， 以规避美国关税 。
关于HBM4的供应 ， 三星电子表示：“我们无法确认任何与客户相关的细节 。 ”
据相关报道 ， SK海力士今年上半年向英伟达供应的12层HBM4产品单价在500美元左右 ， 比12层HBM3E产品单价（约300美元）高出60%至70% 。 这一溢价的背后 ， 是英伟达与SK海力士就其高性能AI芯片Rubin平台的HBM4首批采购事宜展开了早期谈判 。 英伟达对此表示不满 。 SK海力士表示 ， 价格尚未最终确定 ， 目前无法透露与英伟达谈判的具体细节 。
价格上涨的重要原因是首批HBM4产品设计和工艺复杂度的显著提升 。 尤其值得一提的是 ， 从HBM4开始 ， 负责计算处理的“基础芯片”（Base Die）采用基于台积电4纳米工艺的代工工艺制造 。 这种结构所需的加工成本是标准DRAM的两倍多 ， I/O数量也比上一代增加了一倍多 ， 这增加了制造复杂性和成本 。
截至今年上半年 ， SK海力士几乎是英伟达12层HBM3E产品的独家供应商 。 在HBM3E业绩的带动下 ， SK海力士营收创下历史新高 。 SK海力士还积极向英伟达供应12层HBM4样品 ， 争夺明年Rubin平台的领先地位 。 不过 ， 下半年扩大产量的谈判进展缓慢 ， 三星电子和美光公司都在向英伟达提供了HBM4样品 ， 试图实现供应链多元化 。 英伟达表示将在确认两家公司的质量测试结果后最终确定价格和产量谈判 。
有分析认为在2024年至2025年期间 ， 受AI半导体需求激增的推动 ， HBM市场年增长率预计将超过60% 。 HBM4是下一代高附加值存储器 ， 与HBM3E相比 ， 带宽和能效显著提升 ， 预计将被应用于主流GPU和AI服务器芯片 。
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