Exynos 2600 目前处于原型生产阶段 ， 三星正借助其 2 纳米全环绕栅极（GAA）工艺 ， 为这款即将登场的旗舰级系统级芯片（SoC）实现性能与能效的新跃升 。 不过 ， 考虑到过往产品即便在智能手机中配备均热板散热 ， 仍难逃持续过热的困扰 ， 有报道称 ， 这家韩国厂商将引入一项名为 “热传递阻断”（Heat Pass Block ， 简称 HPB）的技术来优化散热 ， 确保 Exynos 2600 能稳定发挥最佳性能 。
本质上 ， HPB 将充当 Exynos 2600 的散热器 ， 通过改善散热表现 ， 让这款 SoC 能在更长时间内维持最高主频运行 。
三星 Exynos 系列现有芯片采用的是 DRAM 直接叠置于 SoC 之上的结构 。 不过据ETNews消息 ， 在 Exynos 2600 上 ， HPB 与 DRAM 将共同直接搭载于芯片之上 ， 其中新增的 HPB 将扮演散热器角色 ， 加速热量传导 。 此外 ， 三星据称还将在 HPB 模块上方采用扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术 ， 以提升耐热性并增强多核性能 。
这项封装技术首次应用于 Exynos 2400 ， 三星希望将其沿用至 Exynos 2600 ， 确保该芯片能与即将推出的骁龙 8 Elite Gen 2 和天玑 9500 保持一定竞争力 。 近期 Geekbench 6 的跑分数据泄露显示 ， Exynos 2600 的最高主频核心运行在 3.55GHz ， 这一频率低于天玑 9400 + 搭载的 Cortex-X925 核心 。
HPB 与 FOWLP 技术的加入 ， 理论上可助力 Exynos 2600 实现更高频率 ， 从而在维持温度稳定的同时 ， 提升单核与多核性能 。 众所周知 ， 温度过高会引发性能降频 ， 这不仅会让设备握持时体感不适 ， 还可能加重电池负担 ， 甚至存在爆炸风险 ， 沦为一颗 “定时炸弹” 。
【三星新旗舰 Exynos 2600 将搭载 HPB 散热技术】若三星的 2 纳米全环绕栅极工艺能达到理想良率 ， Exynos 2600 有望于今年年底发布 ， 恰好能赶在该公司 2026 年初发布 Galaxy S26 系列之前 。
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