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近日 ， 在美国加利福尼亚州蒙特雷举办的 “2025 SPIE 光掩模技术 + EUV 光刻会议上” ， 比利时微电子研究中心（imec） 展示了单次打印High NA EUV 光刻的两项突破性成就：
（1）间距为 20nm 的线结构 ， 尖端到尖端临界尺寸 (CD) 为 13nm ， 适用于镶嵌金属化；
（2）使用直接金属蚀刻 (DME) 工艺获得的 20nm 间距 Ru 线的电气测试结果 。
imec称 ， 这些结果部分得益于欧盟的NanoIC 试验线 ， 不仅标志着推进高 NA EUV 图案化单次打印能力的重要里程碑 。 它们还强调了 imec-ASML 合作伙伴关系在推动更广泛生态系统方面的关键作用 ， 该生态系统推动高 NA EUV 向大批量制造过渡 ， 解锁 2nm 以下逻辑技术路线图 。
继2025年2月在SPIE先进光刻与图案技术大会上展示20nm间距金属化线结构后 ， imec如今通过单次曝光高数值孔径EUV光刻工艺 ， 实现了20nm间距线结构 ， 其点对点（T2T）临界尺寸（CD）达到13nm 。 对于13nmT2T结构 ， 测量结果显示其局部CD均匀性（LCDU）低至3nm ， 标志着业界的一个里程碑 。 该结果采用金属氧化物光刻胶（MOR）获得 ， 并与底层、照明光瞳形状和掩模版选择共同优化 。
imec 计算系统扩展高级副总裁Steven Scheer表示：“与多重曝光相比 ， 采用单次High NA EUV 光刻技术实现这些逻辑设计可减少处理步骤 ， 降低制造成本和环境影响 ， 并提高产量 。 这些结果支持镶嵌金属化技术 ， 这是互连制造的行业标准 。 T2T 结构是互连层的重要组成部分 ， 因为它们允许中断一维金属轨道 。 为了满足 20nm 金属间距的逻辑路线图 ， T2T 距离预计将缩小到 13nm 及以下 ， 同时保持功能性互连 。 进一步缩小 T2T 尺寸的开发工作正在进行中 ， 11nm T2T 已取得可喜的成果 ， 并将结构转移到底层硬掩模中 ， 从而实现真正的（双）镶嵌互连 。 ”
为了实现20nm以下的金属化 ， 业界可能会转向其他金属化方案 。 作为第二项成果 ， imec展示了钌（Ru）直接金属蚀刻（DME）与单次曝光高数值孔径EUV光刻技术的兼容性 。 我们实现了20nm和18nm间距的钌线 ， 包括15nm T2T结构和低电阻功能互连 。 对于20nm间距的金属化线结构 ， 获得了100%的电测试良率 。
Steven Scheer 表示：“在荷兰费尔德霍芬 (Veldhoven) 设立 ASML-imec 高数值孔径 EUV 联合实验室后 ， imec 及其合作伙伴生态系统在推进高数值孔径 EUV 光刻技术方面取得了长足进步 ， 并推动行业迈入埃级时代——这得益于三年的生态系统建设 。 此次成果标志着一个新的里程碑 ， 彰显了 imec 在光刻研发领域的领导地位 。 这些成果在实现《欧洲芯片法案》中关于支持 2nm以下逻辑技术节点的目标方面也发挥着关键作用 。 我们将与 imec-ASML High NA EUV 生态系统（包括领先的芯片制造商、设备、材料和光刻胶供应商、掩模公司以及计量专家）密切合作 ， 持续共同优化High NA EUV 光刻和图形化技术 ， 以支持逻辑和存储器的发展路线图 。 ”
【imec宣布取得两项High NA EUV光刻突破性成就】编辑：芯智讯-浪客剑
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