据闪德资讯获悉 ， 据业界消息 ， SK海力士第六代10纳米级1c DRAM的近期良率已达到约80% 。
1c DRAM预计其电路线宽为11~12纳米（nm）左右 。
去年下半年 ， 该产品良率曾被认为在60%区间 ， 如今成功实现了提升 。
通常 ， DRAM产品若良率达到80%以上 ， 便可视为稳定 。
SK海力士曾于去年8月宣布 ， 成功开发出全球首款采用1c工艺的16GB DDR5 DRAM 。
然而 ， 为了应对不断增长的HBM需求 ， SK海力士将设备和人力优先配置到了HBM生产线上 。
即使在1c DRAM上实现了较高良率 ， 也难以轻易扩大产量 。
在明年即将推出的第六代HBM4产品中 ， SK海力士仍将沿用与第五代HBM3E相同的1b DRAM 。
因此 ， 计划于今年年底竣工的清州M15X工厂也将重点扩建应用1b工艺的生产线 。
目前 ， SK海力士正投资120万亿韩元建设全球最大规模的半导体工厂——龙仁集群 。
但预计要到2027年才能竣工 。
因此 ， 也有人认为 ， 在1c DRAM领域 ， 三星电子可能会抢占先机 。
虽然在下一代DRAM技术实力方面 ， 三星电子一度落后 ， 但在产能方面仍大幅领先于SK海力士 。
根据市调机构的数据 ， 按晶圆投片量计算 ， 三星电子的DRAM产量至少是SK海力士的1.5倍以上 。
目前 ， 三星电子也在技术层面全力聚焦于1c DRAM ， 希望重夺市场主导权 。
公司正在重新设计1c DRAM ， 并计划从HBM4开始引入1c工艺产品 ， 加速技术开发进程 。
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