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在特朗普对华发起最大规模限制措施之际 ， 中方又一次创造了奇迹 ， 中企的先进半导体技术实现出海 ， 且合作方还是占据领先地位的韩国 ， 美国的围堵失败了 ， 历史已经被改写 ，。
【历史已改写，三星与中企达成半导体合作，全球半导体格局开始重塑】日前 ， 中国科技企业迎来了一个让人备受鼓舞的消息 ， 中国存储芯片厂商长江存储实现了对韩国三星电子的技术专利许可 。 这是创造历史的一幕 ， 在半导体领域 ， 韩国是当之无愧的第一梯队 ， 尤其是在存储芯片方面 ， 韩国更是主导了DRAM和NAND闪存市场 ， 光是三星电子和海力士这两家公司就占有超过60%的全球市场份额 ， 占据着绝对的领先地位 。
相比之下 ， 中企长江存储算是“后起之秀” ， 这家企业2016年才成立 ， 至今还不到十年 ， 且入局的时候全球存储芯片市场已经成熟 ， 要和美国的美光、韩国的三星、海力士等大企业拼专利技术、抢占市场份额 ， 不亚于克服天堑 。 但就是在这样起步晚、条件差的基础上 ， 长江存储还是完成了弯道超车的亮眼成绩 。
据了解 ， 三星从长江存储手上得到的是3D NAND“混合键合”专利 ， 该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术 。 近年来 ， 随着AI、云计算、无人技术的发展 ， 高性能计算半导体、车用半导体、AI半导体等需求逐渐呈现井喷态势 ， 海力士高管已经明确表示将在今年年底量产400层NAND闪存 ， 并于明年上半年投入大规模生产 。
三星不甘示弱 ， 也推出了下一代v10闪存芯片 ， 不仅堆叠层数高达420至430层 ， 量产时间也要早于海力士 。 然而 ， 这种新芯片性能大幅增加的同时 ， 也为其封装和生产效率带来了巨大的挑战 。 以韩国目前的技术 ， 还达不到三星的既定量产目标 ， 所以三星只能向外求 。
长江存储这些年一直深耕存储芯片领域 ， 早在2020年 ， 就开始积极应用3D NAND混合键合技术 ， 并积累了大量的相关专利技术 ， 这种技术能够省去传统芯片连接所需的凸块 ， 缩短电路 ， 并提高存储性能和散热特性 ， 完美适配三星下一代芯片 ， 所以三星毫不犹豫地 ， 就在当前美国带头围堵中国的情况下和长江存储签署了协议 。
韩国的失败几天前就有了预兆 ， 日前韩国科技评估与规划研究发布了一份调查报告 ， 显示韩国绝大多数半导体技术已经被中国赶超 ， 且现在的韩国虽然在制造工艺和量产方面领先中国 ， 但在基础技术和设计领域已经落后 。
从另一个层面看 ， 长江存储关键技术专利的出海 ， 是中方给美国的一记响亮的耳光 。 拜登政府末期 ， 美国敦促荷兰、日本、德国和韩国联手围堵中国半导体 。 2月21日 ， 美总统给特朗普还签署了一项备忘录 ， 指示美国外国投资委员会限制中国在美国科技、能源及其他战略行业的投资 ， 韩国三星的选择表明美国的芯片战略遭遇了失败 ， 而中企和先进芯片企业的合作进一步表明 ， 历史已经改写 ， 全球半导体产业格局将由此发生转变 。
最近 ， 特朗普采取了针对中国的最广泛、最有力行动 ， 预示着美国对华战略竞争已经从科技和贸易辐射到粮食、矿产、港口及航运等 ， 这种竞争态势的全面拓展表明接下来中国有场硬仗要打 ， 但长江存储和三星的牵手不仅为中企注入了信心 ， 也为中美整体竞争树立了榜样 ， 只要中国继续做好自己的事 ， 所有困难都会迎刃而解 ， 所有挑战也都不在话下 。
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