【三星完成HBM4逻辑基础裸片设计，采用自家4nm制程】1月5日消息 ， 据《朝鲜日报》报导 ， 三星设备解决方案(DS)部门的內存业务部最近已经了完成HBM4高频宽內存逻辑芯片的设计 ， 三星Foundry业务部门也已经根据该设计 ， 采用4nm制程进行了试产 ， 在完成逻辑基础裸片（Logic Base Die）的最终性能验证后 ， 三星将正式提供HBM4样品验证 。
三星HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片（Base Die） ， 但是HBM4则会将DRAM Base Die 改成Logic Base Die（逻辑基础裸片） ， 以推动性能和能效进一步提升 。 具体来说 ， 这个Logic Base die是连接AI加速器内部图形处理单元（GPU）和DRAM的必备组件 ， 位于DRAM的底部 ， 主要充当GPU和内存之间的一种控制器 ， 并且这个Logic Base Die与之前的Base Die不同 ， 它可以让客户自行设计 ， 可以加入客户自己的IP ， 有利于HBM实现定制化 ， 从而让数据处理更为高效 。 预计可以将功耗大幅降低至之前的30% 。
报道称 ， Logic Base Die对于HBM4芯片来说相当于大脑 ， 负责控制上方多层DRAM芯片 。 因为在HBM4上 ， 內存堆叠I/O引脚数量倍增 ， 需整合更多功能等一系列因素 ， 使得全球三大內存原厂均采用逻辑半导体代工几技术制造来逻辑基础裸片 。
报导引用韩国市场人士说法 ， 执行工作时发热是HBM最大敌人 ， 而在堆叠整体中逻辑基础裸片更是发热大户 ， 需求采先进制程 ， 这有助改善HBM4能效与性能表现 。
三星试图在HBM4采取更积极路线 ， 以挽回HBM3E流失的HBM市占率 。 三星HBM4除了采用自家4nm制造逻辑基础裸片外 ， 还将导入10nm级1c制程生产DRAM ， 有望16层堆叠导入无凸块混合键合 。
之前有传闻称 ， 三星将为Meta和微软这两大AI云服务巨头提供定制的HBM4内存 ， 以集成在它们的下一代AI解决方案当中 。 根据预计 ， 三星为微软定制的HBM4将可能被用于微软此前发布的AI芯片“Maia 100” ， 同样Meta的Artemis AI芯片也可能采用三星的HBM4 。 这对正急于开拓AI市场 ， 缩小与SK海力士之间差距的三星来说 ， 无疑是一个好消息 。
编辑：芯智讯-浪客剑
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