此外，AMD X570 系统晶片内建了 4 个 SATA 6Gbps，令系统晶片最高可支援 12 个 SATA 装置，支援 AMD StoreMI 储存加速技术，同时亦内建 8 个 USB 3.2 Gen 2 接口 及 4 个 USB 2.0 介面，晶片规格相当强劲 。
支援最高 DDR4-4866OC
▲ 4 DIMM 最高支援128GB 容量
记忆体方面，ROG Crosshair VIII Dark Hero 主机板有 4 组 DDR4 DIMM 扩充槽，支援 Dual Channel 双通道记忆体技术、 2 DIMM per Channel 配置，可配置 un-buffered 、 non-ECC 及 ECC 记忆体模组，支援 ECC 侦错技术，系统记忆体最大容量为 128GB，同时记忆体相容性亦有明显改善，更加入全新 2:1 Ratio 除频令超频能力大幅提升 。
为改善记忆体线路讯号并提升超频能力，记忆体线路布局上採用 OptiMem III 设计，令记忆体与 CPU 之间的 Trace Path 更短，优化记忆体线路讯号并改善超频能力，加上最新 Ryzen 5000 系列的记忆体控制器相较上代大有改善 。主机板官方规格支援最高 DDR4-4866 O.C. 速度 。测试採用 Crucial Ballistix gaming memory DDR4-3600 16GB记忆体，能够超频至 DDR4-4866 C18 并完成负载测试，记忆体超频表现相当强大 。
16 PowerStage Digi供电设计
▲ 採用 142 供电设计
供电方面，这片 ROG Dark Hero 採用 142 PowerStage 数位供电设计，其中 14 个负责 CPU Vcore 供电，2 个负责 VCCGT 供电，并以双倍的功率级运作，每两个组成一个相位，每相供电能处理高达 180A 的电流 。配合自家研发的 TPU 控制晶片，能準确监测 CPU 内部电压的变化，实时对电压作出补偿，令工作电压在负载后保持平稳，提升 CPU 超频稳定性 。
▲ DigiASP1405I VRM 控制器 (左) &
Texas Instruments CSD95410RRBMOFSET (右)
搭载了自家 DigiASP1405I VRM 晶片控制，弃用 Doubler 直接连接到 16 颗 Texas Instruments CSD95410RRB 90A Dr.Mos 晶片，每相能提供最高 180A 电流处理能力，整个供电组合能为处理器提供最大 1,260A 电力，每相供电能平均分摊处理器核心的电流负载，减低供电模组的负载温度并提升工作寿命 。
▲ 传统倍相设计 VS 整合式 PowerStage 电源
今代 ASUS 全线 X570 系列主机板皆已放弃採用 Phase Doubler 去驱动相位，反而以双倍功率级打造较少相数的供电设计，虽然最高可承受的电流不变，但删去 Doubler 却能提升 Transient Response 瞬态响应的时间，大幅缩短约 20ns 的供电反应延迟，亦能有效减低的 Vdrop 幅度达 30mV，进一步提昇极限超频稳定性 。
▲ Microfine 微粒合金电感 & 日系 10K Black Metallic 电容
搭配高品质的 Microfine 45A 微粒合金电感，电感内部颗粒较微细而且均匀，高磁导率相较传统电感的损耗减低 75%，降低电感滚降令电源转换效率提升约 50%，令电流容量大幅提升 。ASUS 亦非常着重主机板的耐久度，选用了日系 10K Black Metallic 电容，相较一般固态电容高出五倍长的使用寿命，工作温度範围亦较一般固态电容更广，能正常运作于 -180癈 至 125癈 的温度範围仍能保持其稳定性及寿命 。
▲ 大型 VRM 延伸式导管金属散热器
主机板 VRM 供电模组採用大型延伸式导管金属散热器，具备右斜线散热鳍片造型，能应付16 个 90A PowerStage 供电设计，确保供电模组保持较低的工作温度，以提供稳定的高性能输出 。
8-pin ProCool II 电源接头
▲ 8-pin ProCool II 电源连接器
採用 CPU84pin 供电插槽，其中 ATX 8-pin CPU 加入了 ProCool II 实心针脚电源接头设计，并在电源接头内以实心金属针脚打造，比传统以金属片摺叠而成的针脚拥有更大的金属切面面积，有效降低阻抗及提高可承受的电流数值，同时亦加上金属包覆式防护外壳，提高插座耐用性及有效减低电磁干扰对供电稳定性的影响 。
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