独家丨高通并购恩智浦进入倒计时,恩智浦官网( 四 ) _高通

高通收购恩智浦为什么要中国批准？

因为高通和恩智浦的产品是面向全球销售的，合并以后的公司推出的产品有潜在的价格垄断，可能损害当地同一行业生产商的利益，所以需要向当地反垄断部门批准。当然，可以不经过中国批准，那么合并以后的公司产品就不要在中国销售。而高通是世界上最大的一个无线半导体供应商。它所推出的移动处理器系列平台骁龙，覆盖了从入门级到最高端的智能手机，以及下一代智能终端。
从去年的市场研究机构数据表示，目前全球智能手机出货量超过三分之一来自于中国厂商，而前十大手机品牌中有七家是中国手机厂商，像华为，小米， oppo,vivo都是高通的大客户之一。此次并购，高通将会把它一贯滥用垄断地位、收取高额的专利费、敲诈和排挤竞争对手的行为在恩智浦的业务领域延伸，中国手机产业的悲剧将在智能汽车、自动驾驶、车联网以及半导体领域重演。
K7A60W场效应管可以用什么管代替？

K7A60W是一款耐高压的NMOS场效应管，是一款比较老的器件了。目前可以替换该器件的NMOS挺多，而且参数也要好很多。在推荐型号之前，先看一下K7A60W的关键参数。VDSS是指漏极和源极之间最大的耐压，该芯片可达600V ，耐压比较高。RDS(on)是指漏极和源极之间的导通电阻，该芯片约为450mΩ ，漏极可通过的连续电流最大为7A ，栅极和源极之间的最大电压为±30V ，开启电压约为3-4.5V ，其封装为TO-220 。
根据以上参数，推荐FCPN760 ，这是仙童半导体所生产的一款NMOS芯片，其参数与K7A60W基本一致。最大耐压600V ，可通过的连续电流为7A ， Vgs的电压范围为±30V ，导通电阻为600mΩ比K7A60W稍大一些。其封装类型为TO-220,可直接替换。如下图所示。在寻找类似参数的芯片时，可以登录相关半导体公司的官方，在官网上一般都会有筛选条件，可以根据自己的参数去选择型号，可以多去几家比较。
中国要造出5nm的光刻机需要多长时间呢？

光刻机，就是用光线在硅晶圆上刻画出电路图来。所以最核心的分为两方面：一是技术，二是工艺。落实到具体的对象上，就是镜头和激光光源，以此来分析中国在这两项技术上的所需的进程，就能大致了解中国造出5nm的光刻机需要多长时间了。为何非要5nm这个参数级的光刻机中国的中芯国际最近向荷兰的ASML成功订购了一台光刻机，但生产最高极限是7nm的芯片，要想突破7nm的这个技术瓶颈，就必须使用EUV（极紫外光源）技术，这所购的这台光刻机不含EUV光源的技术。
不是可以买吗？但买到。因为：EUV（极紫外光源）研究是多个国家参与的（包括美国）。根据《瓦森纳协定》美国就可以决定不卖给你。上面说的中芯国际订购的7nm芯片的光刻机，如果美国要使坏，要想成功订购也是不容易的。20年前明确的目标，是5nm的EUV光刻机研发的最佳时间早在1999年， EUV光刻机的地位就已经很明确了，谁有了EUV光刻机的技术，谁就有了芯片领域的未来。