不过Krf光源只适合制程工艺在100纳米以上的光刻机使用 ， 而我国的光刻机最小的制程工艺为90纳米 。想必还是研制出了波长为193纳米的第四代Arf光源 。当然了 ， 国内有研发DUV光刻机的光源公司 ， 也有研发EUV光刻机光源的企业 。像哈工大研发的第一代放电等离子光源 。综合来看 ， 在光源上与国际领先水平仍然有较大得差距 。
反射镜我国研究光刻机镜头的有国望光学 ， 长春光机所 。国望光学已经研制出了 ， 适合步进投影式DUV光刻机使用的透镜 ， 否则国内90纳米制程工艺的光刻机的物镜系统从哪里来的呢 。只不过 ， 在极紫外EUV光刻机使用的反射镜上 ， 国内并没有研制出实物 ， 也没有相关的报道出现 。只不过 ， 据最新的资料显示 ， 光点技术研究所 ， 与中国科学院高能物理研究所合作 ， 研发的200 毫米口径内平面镜的 ， 加工粗糙度优于 0.3 纳米 。
而在2021年 ， 中科科仪所研发出了真空镀膜设备 ， 该设备可以将膜厚的精度控制在0.1纳米以内 ， 应该可以用于反射镜的镀膜 。综合来看 ， 国内反射镜技术 ， 与德国的蔡司公司 ， 日本的JECT公司的反射镜差距依然挺大的 。双工件台我国研发双工件台的主要就是华卓精科 ， 其已经交付客户的DWS系列双工件台 ， 可以被用于Arf干式光刻机 。
该双工件台采用了磁悬浮平面电机驱动 ， 多轴激光干涉位移测量技术 。使得运动平均偏差为4.5纳米 ， 运动标准偏差为7纳米 ， 最大速度为1.1米/秒 ， 最大加速速度为2.4g 。正在研发DWSI系列 ， 同样采用了磁悬浮平面电机驱动 ， 不过换成了平面光栅干涉位移测量技术 。使得运动平均偏差为2.5纳米 ， 运动标准偏差为5纳米 ， 最大速度为1.5米/秒 ， 最大加速速度为3.2g 。
【」是一项什么样的技术,euv】即便是在研发中的双工件台 ， 距离ASML极紫外EUV光刻机使用的双工件台也有差距 。目前来看 ， 我国EUV光刻机的所需要的部件 ， 都尚未达到满足使用的程度 。所以说 ， 国产极紫外EUV光刻机还是需要时间来等待的 。就是等待各种部件达到商业化的程度 ， 也只有各种部件都齐全了 ， 国产极紫外EUV光刻机才可以顺利的下线。上文也说了 ， 至于何时才能看到国产极紫外EUV光刻机 ， 还很难说啊！ 。
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