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」是一项什么样的技术,euv( 二 )

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这一切 ， 在20年前是根本就不敢想的 ， 甚至在10多年前也是不敢想的 。但是 ， 这一切 ， 就真真切切的成为了现实 。所以说 ， 没有可以难倒我国的技术 ， 因为我国有着迎难而上的传统和决心 。相信 ， 在极紫外EUV光刻机上 ， 也会尽快研制出来的 。那么 ， 我国现有的技术 ， 与国际上的差距有多大呢 。ASML极紫外EUV光刻机使用的先进部件采用了波长为13.5纳米 ， 功率为250W的激光等离子体光源 。
有关于极紫外光源 ， 一共发展了三代 。第一代：放电等离子体(DPP)；第二代：激光辅助放电等离子体(LDP)；第三代：激光等离子体(LPP) 。可见ASML的极紫外EUV光刻机使用的就是由Cymer公司研发的第三代光源 ， 该光源有两大特点：第一 ， 功率高 ， 250W 。只有光源的功率足够高 ， 在被十多个反射镜反射吸收之后 ， 剩下的功率足够高才能够进行光刻 。
另外光刻机光源的功率越高 ， 芯片刻录速度也就越快 。第二 ， 波长短 ， 13.5纳米 。众所周知 ， 光刻机的光源波长与最小制程工艺息息相关 。由于芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有着密切的关系 ， 曝光分辨率越高 ， 制程工艺也就越小 ， 反之月越大 。而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关 ， 当然光源的波长越短 ， 曝光分辨率也就越高 。
光源波长越短 ， 芯片制程工艺的纳米数就可以做到越小 。总而言之 ， 极紫外EUV光刻机需要的光源 ， 是波长短 ， 功率大 。多片极其光滑的反射镜EUV光刻机与DUV光刻机的镜头组是不同的 。DUV光刻机用的是透镜组 ， 而EUV光刻机用的是反射镜 。为了使光源被反射后 ， 还具备较高的聚合性和较大的功率 ， 对反射镜的粗糙度有较高的要求 。
ASML的极紫外EUV光刻机 ， 使用的是德国蔡司公司研制的反射镜 。这些反射镜的表面镀了近百层由钼和硅制成薄膜 ， 而薄膜的粗糙度控制在0.05纳米 ， 难度还是相当大的 。超高精度的双工件台过去的光刻机使用的是单工件台 ， 一个工件台完成测量 ， 刻录等所有工作 。那么 ， 效率自然就很慢 。使用单工件台的光刻机 ， 一个小时可以处理80片晶圆 。
而双工件台 ， 是将光刻前得准备工作 ， 和光刻分隔开来 。即 ， 一个工件台上的晶圆在做曝光时 ， 另一个工件台对晶圆做测量等曝光前的准备工作 。当第一个工件台的曝光工作完成之后 ， 两个工件台交换位置和职能 这样一来 ， 就可以提高光刻机的生产速度 ， 使用双工件台的光刻机 ， 每小时可以处理200片晶圆 。相单工件台而言 ， 那生产效率提高了3倍 。
ASML的极紫外EUV光刻机所用的Twinscan双工件台 ， 的运动精度误差控制在1.8纳米 。综合来看 ， 光源 ， 双工件台 ， 反射镜是光刻机的三大部件 ， 只要解决了这三大部件 ， 剩下的控制台 ， 掩膜台相对来说就比较容易了 。我国光刻机部件的进度我国目前最先进的光刻机 ， 就是最小制程工艺为90纳米的步进投影式DUV光刻机 。
距离ASML的极紫外EUV光刻机还有很远的距离 。光源国内研发光源的主要有科益虹源 ， 哈工大 ， 华中科技 ， 上海光机所等 。目前来看 ， 我国已经制造出来第三代光源→波长为248纳米 ， 重复频率为4000hz ， 功率为40W的氟化氪（KrF）激光器 。当然了 ， 这是在2020年完成的 ， 至于今天达到了那个程度 ， 还难以确定 。不过 ， 国外类似的光源是在上世纪80年代研发出来 ， 可想而知 ， 这之间的差距有多大 。

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