英诺赛科的扩产正值台积电退出GaN代工领域 。
中国领先的氮化镓（GaN）专业公司英诺赛科计划到2025年底将其8英寸晶圆月产能从13000片扩大到20000片 ， 并朝着每月70000片的五年目标迈进 。 作为首家大规模生产8英寸硅基氮化镓晶圆的整合器件制造商 ， 英诺赛科的扩产凸显了全球在电力电子领域日益转向GaN技术 。
【英诺赛科，展现野心】据报道 ， 英诺赛科的产品组合涵盖晶圆制造、分立GaN器件、智能GaN集成电路、驱动芯片和功率模块 。 这些产品服务于从消费电子、太阳能到储能和数据中心等多种应用 。 凭借其效率和小尺寸 ， GaN在双向电源转换、光伏储能系统和高密度服务器电源等领域正获得发展势头 ， 并成为下一代功率半导体中硅的有力替代品 。
英诺赛科 ， 聚焦8英寸GaN英诺赛科的扩产正值台积电退出GaN代工领域 ， 以及英飞凌科技开始试产12英寸GaN晶圆（预计2025年末向客户交付） 。 这一系列活动反映了日益激烈的竞争和乐观的预测 。
尽管业内参与者都在关注12英寸GaN生产 ， 但英诺赛科采取了审慎的态度 。 尽管12英寸晶圆的芯片良率是8英寸的2.3倍 ， 但良率一致性和工艺可靠性仍是尚未解决的挑战 。 “目前还没有能够批量生产12英寸GaN的MOCVD设备 ， ”该公司表示 ， 并补充说其重点仍将放在优化8英寸产线上 。 预计12英寸GaN可能要到2030年才能达到商业化成熟度 。
英诺赛科计划将扩大的产能与迭代产品升级相结合 ， 以在成本和性能方面超越硅基功率半导体 。 该公司声称其下一代GaN产品可提供高达40%的性能提升和30%的系统成本节约 。 预计客户全面采用将遵循三到五年的多年合作周期 。
今年4月 ， 英诺赛科与意法半导体签署了GaN技术开发和制造协议 ， 结成战略联盟 ， 以扩大全球生产并加速创新 。 该合作伙伴关系结合了两家公司的IDM模式和地理制造优势 ， 以扩大其GaN产品组合并增强供应链弹性 。
该协议允许英诺赛科利用意法半导体的欧洲生产线进行GaN晶圆产出 ， 而意法半导体可以利用英诺赛科在中国的前端晶圆厂产能生产自己的GaN器件 。 这种跨区域合作的目标是新兴的高增长市场 ， 包括AI数据中心、可再生能源、电动汽车和工业电源系统 。
意法半导体模拟、电源和分立器件、MEMS和传感器部门总裁Marco Cassis表示 ， 这项协议将通过更灵活、全球分布式生产模式 ， 帮助意法半导体扩大其GaN产品线 ， 并加速宽带隙技术（包括SiC）的部署 。
英诺赛科创始人兼董事长罗卫伟表示 ， GaN对于构建更小、更高效、更低排放的电子系统至关重要 。 英诺赛科已在全球出货超过10亿个GaN器件 ， 罗卫伟相信与意法半导体的合作将加速下一代GaN创新的推出 。
通过扩大生产和建立全球联盟 ， 英诺赛科正将自己定位为快速发展的GaN功率半导体市场中的关键参与者 ， 在技术执行与长期战略布局之间取得平衡 。
GaN ， 强势崛起作为第三代化合物半导体 ， GaN相比传统硅材料具有更高的功率密度、更快的开关速度、卓越的热稳定性和更高的能源效率 。 这些特性使其在一系列应用中尤其有价值——从消费电子产品和AI数据中心到可再生能源系统和电动汽车 。
通过减少设备中的能量损耗并实现更紧凑的设计 ， GaN技术有望提高各行业的电源效率 。 根据研究公司Omdia的数据 ， 全球GaN功率半导体市场预计将从2023年的5亿美元增长到2032年的64亿美元 。 这一预测表明 ， 对于早期采用者和新市场进入者而言 ， GaN具有巨大的长期潜力 。
尽管台积电正在退出GaN代工 ， 但该市场正变得日益拥挤 。 行业分析师表示 ， 中国晶圆代工厂在8英寸GaN器件的大规模生产方面取得了显著进展 ， 这导致整个行业的价格压力不断增大 。
一些观察人士认为 ， 这种激进的价格环境是台积电决定退出的一个关键原因 ， 转而将其精力集中在更先进、利润更高的技术上 。
在韩国 ， 本土竞争也日益加剧 。 SK Key Foundry已经展示了650V GaN HEMT组件的性能 ， 并计划在2025年下半年开始大规模生产8英寸GaN晶圆 。 与此同时 ， DB HiTek于2024年完成了其8英寸GaN试产线 ， 目标是明年开始初步生产 。 该公司还在探索进入12英寸GaN制造领域 。
随着GaN市场的发展 ， 三星正处于关键时刻 。 电动汽车、可再生能源和AI驱动系统等领域的转变 ， 持续推动着全球对高效能技术的需求 。 GaN有望在这一转型中发挥核心作用 。
但成功将取决于三星和其他新进入者能够多快地扩大运营规模 ， 并与成本更低的竞争对手展开竞争 。 随着化合物半导体领域的竞争日益激烈 ， 前方的道路充满了希望和压力 。
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