REDMI K90系列再曝,两个处理器版本

【REDMI K90系列再曝,两个处理器版本】REDMI K90系列再曝,两个处理器版本

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REDMI K90系列再曝,两个处理器版本

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不久前 , 小米人车家全生态发布会中 , 全新的REDMI K80 至尊版正式发布亮相 。 随着时间的推进 , 关于更下一代的REDMI手机产品也出现了新的爆料信息 。近日 , REDMI K90系列现身了数据库 。 结合认证信息来看 , REDMI K90系列将带来REDMI K90和REDMI K90 Pro两款机型 。 其中 , REDMI K90型号为2510DRK44C , 代号Annibale , 搭载高通骁龙8 Elite(骁龙8至尊版)处理器; REDMI K90 Pro型号25102RKBEC , 代号Myron , 搭载高通骁龙8 Elite 2(第二代骁龙 8 至尊版)处理器 。 参考来看 , 骁龙8 Elite 2的频率将会进一步提升 , 高频版可以达到5.3GHz 。 沿用高通骁龙8至尊版的 CPU 集群设计 , 依然采用2颗超大核+6颗性能核的8核心配置 。 采用第二代自研Oryon CPU架构 , Adreno 840 GPU性能设定也很高 。基于此 , 新一代的REDMI K90 Pro性能表现应该也会进一步升级 。 与此同时 , 博主@数码闲聊站 最近的一份爆料中提到 , “之前说过子系迭代也在评估OV50Q , 50Mp 1/1.3\" LOFIC QPD V3 , 支持平滑帧过渡和超级帧合成 , 提高对焦速度 , 优化高动态范围 , 降低功耗 , 年底一波子系影像越级 , 全员上潜望镜~” 爆料中没有提到详细的产品系列信息 , 但相关推测认为其指代的应该是新一代的REDMI K90 系列 。 据悉 , LOFIC 技术全称是 Lateral OverFlow Integration Capacitor , 横向溢出积分电容技术 , 其基本原理就是在手机影像传感器的每个光电二极管放置一个高密度电容 , 用来收集原本有可能因为饱和而溢出的光电子 。当光电二极管转化的光电子数量超过原本能承载的最大限度时 , 多余的光电子就会流到相邻的电容里 , 而不会因为溢出被“过曝”掉 , 这就让拍摄场景中的高光信息 , 更好地被传感器保留下来 。去年 的 荣耀 Magic6 系列 中就搭载了基于LOFIC横向溢出集合电容技术的影像传感器 , 实现15EV动态范围 。 同一位博主的爆料还提到过 , “独家信息 , 子系新开一块6.59\"±2K LTPS纯直屏 , 显示精细度应该爆表了 , 同样是旗舰新基材和新技术 , 全新大R角窄边框阔屏设计”“子系下一代Pro确定上一颗50Mp潜望长焦 , 大光圈有微距 , 你们期待的2K直屏骁龙8E2全能机+1”等信息 。相关推测 同样 认为其有可能 指代的 是 REDMI K90 系列 。 就此来看 , REDMI K90 系列有望配备6.59英寸左右的直屏 , 带来屏幕和显示效果的新升级 。 REDMI K90 Pro 则有望采用5000万像素潜望长焦镜头 , 大光圈 , 支持微距 , 还将配备一块2K直屏 。 综合来看 , 后续的REDMI K90 系列手机将会带来多方面的产品升级 。 而这是否会带来REDMI K系列产品的定价提升也令人关注 。当然 , 鉴于距离其正式发布还有着一段时间 , 实际情况如何还有待后续验证 。

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