【存储行业，超级周期势头强劲】本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
DRAM库存创历史新低 ， HBM短缺推动价格上涨 ， 分析师预测2027年将迎来周期高峰 。
随着DRAM半导体库存跌至历史最低水平 ， 分析认为 ， 七年来首个“半导体超级周期”正在蓄势待发 。
近期 ， 受人工智能热潮推动的HBM（高带宽存储器）需求激增、NVIDIA的供应商选择以及特朗普政府加征的关税等因素影响 ， 全球存储器半导体行业经历了快速变革 。 然而 ， 所有情况都表明DRAM需求将增加 ， 而供应将出现短缺 ， 因此人们预期 ， 长期超级周期可能会持续数年 。
据市场研究公司 TrendForce 的数据 ， 截至今年第三季度末 ， 全球 DRAM 供应商的平均库存为 3.3 周 ， 创历史新低 。 这与 2018 年半导体超级周期期间 3-4 周的平均库存水平相似 。 尽管 DRAM 买家的平均库存约为 10 周 ， 但需求依然强劲 。
需求激增始于人工智能 (AI) 。 随着人工智能热潮的兴起 ， 用于 AI 训练和运营的英伟达 (NVIDIA) AI 加速器的价值不断提升 ， 导致搭载于这些加速器中的 HBM 需求激增 。 HBM 的制造过程类似于公寓 ， 将 DRAM 堆叠捆绑在一起 。
三星电子等内存半导体公司已将其 DRAM 生产线转为 HBM 使用 ， 导致 DRAM 整体产量下降 。 此外 ， 2017 年至 2018 年期间大规模建设的数据中心即将迎来服务器更新换代 ， 这增加了服务器中使用的通用 DRAM 的需求 。 与 DRAM 一起搭载于服务器的 eSSD 的需求也在激增 。
面对供应短缺 ， 半导体公司并未仓促增产 ， 而是持续进行长期投资 。 一位科技行业人士表示：“特朗普发起的关税政策等不确定性因素太多 ， 所以我们会从长远角度考虑生产设施的投资 。 ”
由于供应跟不上需求 ， 价格飙升 。 据TrendForce 报道 ， 通用产品“DDR4 8Gb”价格持续上涨 ， 达到6350美元 ， 创下年内新高 。 “DDR5 16G”价格为7535美元 ， 较年初上涨逾40% 。 据报道 ， 三星电子和SK海力士计划在现有基础上提高DRAM价格 。
预计这种情况将持续一段时间 。 摩根士丹利预测 ， 本轮半导体周期的顶峰将在2027年到来 ， 预计繁荣期将持续一年以上 。 证券行业预测 ， 三星电子和SK海力士今年第三季度的营业利润将超过10万亿韩元 。 KB证券分析师金东元表示：“三星电子被认为是半导体复苏周期的最大受益者 ， 因为它可以通过扩建平泽工厂 ， 确保从HBM到DRAM和NAND的业内最大产能 。 ”
内存半导体的短缺反而成了对抗特朗普政府半导体关税的武器 。 一位科技行业人士表示：“如果特朗普设定高额的半导体关税 ， 在DRAM半导体需求已经不足的情况下 ， 美国企业将不得不以更高的价格购买 。 ”
“我们预计外资将继续流入韩国芯片股 ， ”Allspring Global Investments的投资组合经理Gary Tan表示 。 “围绕这些公司的乐观情绪的最终推动力 ， 仍然是美国大规模的人工智能基础设施建设 ， 各大科技公司公布的重大资本支出计划为其提供了支撑 。 ”
全球领先的AI处理器制造商英伟达继续大量采购最先进的HBM芯片 ， 随着AMD和博通公司的AI加速器赢得更多客户 ， 这些公司预计也将加大采购力度 。
Tan还表示 ， 随着中国AI芯片越来越多地采用HBM ， 其不断增长的需求应该会带来额外的利好 。
与此同时 ， 围绕传统DRAM和NAND芯片的悲观情绪如今正在消散 。 今年早些时候 ， 就在人工智能热潮引发芯片股大幅上涨之际 ， 谨慎的权威人士还曾警告称 ， 其它半导体领域正因智能手机和汽车市场的疲软而受到冲击 。
但在芯片制造商竞相将产能转移到利润更丰厚的HBM后 ， 传统存储芯片预计将在2026年出现供应短缺 。 这应该会支撑DRAM和NAND的价格 。 此外 ， 美联储降息可能有助于支撑美国这个全球最大经济体的增长 ， 从而刺激芯片销售 。
“随着美联储开启宽松周期 ， 人工智能芯片股的势头正在复苏 ， ” 斐波那契全球资产管理私人有限公司（Fibonacci Asset Management Global Pte．）首席执行官Jung In Yun表示 。 “预计韩国企业将持续获得外国基金的资金流入 ， 因为它们的估值比美国企业更便宜 。 ”
即使本月股价上涨了24% ， 三星电子的预期市盈率仍仅为14倍 ， 而SK海力士的股价本月飙升了33% ， 市盈率仅为7倍 。 相比之下 ， 美国主要芯片制造商的市盈率约为26倍 。
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