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芯片制造是非常复杂的 , 整个芯片制造过程中 , 需要几百种设备 , 几百道工序 。
其中比较核心的有光刻、刻蚀、薄膜沉积 , 这三个步骤 , 都对应着不同的设备 , 比如光刻机、刻蚀机 , 薄膜沉积设备等 。
光刻在最前面 , 用光在硅晶圆上形成电路图案模版 , 刻蚀环节则根据这一模版对下层材料进行选择性去除 , 以构建出复杂的电路结构 。
而薄膜沉积则是在硅片上逐层生长材料 , 从而搭建芯片的电路架构 , 这三个关键环节完成了 , 基本上芯片制造也就成型了 。
目前在光刻机上 , 我们的国产设置确实落后不少 , 如果和ASML相比 , 落后个10年是有的 , 甚至更多 。
但在刻蚀、薄膜沉积上 , 却都达到了顶尖水平 , 特别是国内有一家半导体设备公司 , 在这两块上 , 都具备全球竞争力 , 在刻蚀机上 , 甚至达到了3nm的水平 。
这家企业就是中微公司 , 由尹志尧博士于2004年创办 , 至今不过20来年时间 。
刚开始的时候 , 公司主要聚焦于等离子体刻蚀设备的研发 , 并于2007年就推出了中国首台电容性等离子体刻蚀设备 , 打破国外垄断 。
以前 , 美国对刻蚀机这样的设备也是有限制的 , 不准先进的卖给中国的 , 但中微突破了后 , 限制就取消了 , 因为再禁毫无意义 , 反而会让美企失去市场 。
后来 , 中微不断的努力 , 推出了众多的刻蚀机 , 真正达到全球顶尖水平 , 并且也打入了台积电供应链 , 其精度也达到了3nm 。
不仅如此 , 中微公司还表示 , 其元件全部实现了100%的国产 , 完全的自主可控 , 不用担心卡脖子 , 全是国产供应链 。
而除了刻蚀机之外 , 中微在薄膜沉积设备、MOCVD设备上 , 也达到了全球顶尖水平 , 特别是氮化镓基LED MOCVD设备 , 全球领先 。
【100%自主可控,中国最强刻蚀机厂商,已搞定了3nm工艺】可见 , 中国企业一样能够制造出先进的芯片设备 , 也希望有越来越多的企业 , 能够像中微一样 , 如果大家的水平都全球顶尖 , 都达到3nm , 我们可以全部自己搞定 , 那还怕什么禁令 , 还有什么禁令啊 。
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