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芯片究竟性能有多强 ， 其实与晶体管数量有关的 。 一个晶体管代表着一个逻辑开关 ， 而在芯片里面 ， 开关越多 ， 则性能越强 。
举个例子说一下 ， 不管你是采用几纳米 ， 如果这颗芯片里面有300亿颗晶体管 ， 就算他是28nm工艺的 ， 也会比你采用3nm工艺 ， 150亿颗晶体管的芯片强 。
于是很多人就会问了 ， 既然晶体管数量决定一切 ， 那就疯狂堆晶体管啊 ， 还搞什么工艺 ， 不要去研究3nm、2nm这些了 ， 用28nm工艺 ， 疯狂塞晶体管就行 。
那你就理解错了 ， 工艺越先进 ， 则单位面积内的晶体管越多 ， 同样的晶体管数量下 ， 芯片的面积越小 。
比如200亿个晶体管 ， 如果用28nm工艺来制造 ， 可能需要500平方毫米的面积（只是举例 ， 不一定正确） ， 但用3nm ， 可能只要100平方毫米 。
500平方毫米 ， 是100平方毫米的5倍 ， 相当于硅片要大5倍 ， 这样成本会高多少？
所以说 ， 提高芯片工艺 ， 其实就是为了提高晶体管的密度 ， 然后单位面积内 ， 塞进更多的晶体管 ， 这样在提高性能的同时 ， 缩小面积 ， 降低成本 ， 这个才是核心 。
所以这里就能引入一个指标 ， 那就是单位面积内的晶体管密度 ， 可以说谁能够在同样的面积内 ， 塞进更多的晶体管密度 ， 那谁的工艺就最强 。
那么目前全球最强的三大芯片制造厂 ， 台积电、三星、intel这三家 ， 谁的工艺最厉害？我们只要比一比晶体管密度 ， 就明白个大概了 。
如果是同样的工艺 ， 晶体管密度最高的 ， 肯定是技术最厉害 ， 一点都不掺水的 ， 如果同样工艺 ， 晶体管密度最少的 ， 那肯定就是“水货” ， 掺水严重 。
上图就是这三大厂 ， 从10nm到3nm时 ， 相同工艺下的晶体管密度 ， 单位是亿/每平方毫米 。
【谁才是“水货”？台积电、三星、intel芯片工艺，晶体管密度对比】
很明显能够看到 ， 英特尔是“真男人” ， 晶体管密度在哪个工艺上都是最强的 ， 甚至比台积电、三星的更高一级的工艺下 ， 晶体管密度还要高 。
而三星就明显是水货了 ， 其3nm工艺下的晶体管密度 ， 约等于台积电5nm工艺时的晶体管密度 ， 约等于intel在7nm工艺时的晶体管密度 。
也从这张表能够看出来 ， 也许大家都叫5nm或3nm ， 实质水平是完全不一样的 ， 就看厂商们如何去营销自己了 ， 这也是当前芯片领域的现状 ， 其实工艺有真有假的 ， 就看你怎么看了 。
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