HBM价格谈判的关键在于成本波动 。
预计HBM4（第六代HBM）的成本将比上一代产品大幅上涨 ， 因此溢价幅度将在30%至40%左右 。
HBM最底层的逻辑芯片和堆叠在其上的DRAM核心芯片价格都将上涨 。
考虑到HBM4更注重提升速度、带宽等性能和特性 ， 而非增加容量本身 ， 因此与上一代产品相比 ， 硅通孔（TSV Via）的大幅增加是不可避免的 ， 预计硅通孔将比HBM3E（第五代HBM）扩大300%以上 。
TSV数量的快速增加 ， 意味着对重新布线、微凸块、电源和接地的要求也随之增加 ， 这需要显著增加金属层数 。
除三星电子外 ， 前端技术节点仍将维持在1b（第五代） ， 因此核心芯片面积增加带来的损失是不可避免的 。
在12层HBM4中 ， 逻辑芯片的应用和外部代工厂的利用率各不相同 ， 为了提高能效 ， 逻辑芯片比采用存储器工艺的基座芯片更有可能被利用 。
在这种情况下 ， HBM公司的成本将不可避免地迅速上升 ， 因为它将从存储器工艺成本转变为外部代工厂的工艺销售价格 。
由于通过采用代工厂的逻辑芯片 ， 基座芯片的产能用于核心芯片的生产 ， 因此产能可以扩大约1/13 ， 部分抵消成本增加的因素 。
就附加值而言 ， 综合判断 ， 由于核心芯片比现有的基座芯片更高 ， 成本增加的抵消因素将超过1/13 。
核心芯片预计成本将增加22% 。 由于每个芯片面积增加而导致晶圆上生产的芯片数量减少 。
【HBM4产品将溢价超过30%】由于HBM工艺难度的快速上升导致良率下降 ， 以及HBM4预期溢价较高 ， 预计将继续成为HBM和先进工艺的供应制约因素 ， 紧张的供应状况将持续下去 。
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