美国担忧成真:中国用落后设备,制造出先进内存、闪存芯片了

美国担忧成真:中国用落后设备,制造出先进内存、闪存芯片了

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美国担忧成真:中国用落后设备,制造出先进内存、闪存芯片了

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中国一直是芯片进口大国 , 从数据上来看 , 中国每年进口的芯片价值 , 占全球芯片产价值的60-70% , 之前每年的金额超过4000亿美元 , 最近几年回落 , 也是接近4000亿美元 。
而其中 , 存储芯片占到25-30%左右 , 主要是NAND闪存 , DRAM内存这两样 。
美国垄断了全球50%以上的芯片市场 , 美国+韩国则垄断了全球90%以上的存储芯片市场 。

所以 , 美国一直不希望中国芯片产业发展起来 , 毕竟韩国也是美国的小弟 , 只要中国芯片产业没有崛起 , 美国就可以从中国赚钱 , 同时还能够获得政治利益 。
所以 , 这几年 , 当中国芯片产业高速发展时 , 美国就各种卡脖子 , 主要是卡住先进的半导体设备 , 进入中国市场 。
因为任何先进芯片的制造 , 都需要先进的设备 , 没有先进的设备 , 就相当于无米之炊 , 不可能用手搓吧 。

不过 , 让美国万万没有想到的是 , 中国用落后的设备 , 也制造出先进的内存、闪存芯片出来了 , 这也是美国最担忧的事情 。
先说DRAM内存方面 , 前段时间 , 很多媒体报道称 , 长存已经推出了国产DDR5第七代内存 , 打破了三星、SK与美光在DDR5上的垄断 。
且这个DDR5内存 , 或采用17.5nm的技术 , 而美国之前是想锁死我们的DRAM芯片技术在18nm的 , 明显已经突破了 。
而三星、美光等厂商们 , 其技术也是在DDR5 , 可见相差并不远了 , 基本已经接近了 。
【美国担忧成真:中国用落后设备,制造出先进内存、闪存芯片了】
再看NAND方面 , 长存曾经是全球第一家量产232层堆叠3D NAND的厂商 , 但后来美国打压 , 导致长存购买设备受限 。
但近日 , 有媒体报道称 , 长江存储已开始出货其第五代3D NAND存储芯片 , 该芯片共有294层 。 其存储密度接近每平方毫米20Gb(19.8 Gb/mm2) , 已经不输给三星、美光等品牌了 。
且长存的这款产品 , 采用的是Xtacking 4.0架构和三级单元 (TLC) 设计 , 这都是自研的技术 。 虽然从层数来看 , 较三星等还有一点点差距 , 但明显已经追上来了 。

可见 , 美国虽然不准先进的芯片设备卖给我们 , 但我们基于落后的设备 , 一样制造出先进的存储芯片 , 接下来估计整个存储芯片市场都会面临大洗牌 , 不知道美国、韩国厂商们 , 准备好迎接中国厂商的挑战没有 , 要知道中国厂商最擅长于将高科技产品变成白菜价 。

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