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前不久 ， Mate70系列发布的消息引发了业界的广泛关注 ， 如华为所说 ， 该新机的所有芯片都具备国产化的能力！尤其是麒麟9020芯片 ， 据说只有7nm工艺 ， 可它的实际性能表现却丝毫不比采用台积电4nm工艺的高通骁龙8+逊色 。
这意味着 ， 国内已经搭建出了至少7nm工艺的芯片产业链 。 众所周知 ， 近些年美方联合日、荷等盟友频频加码光刻机限制 ， 在他们看来 ， 只要“锁死”EUV等中高端光刻机 ， 那么大陆就无法突破14nm ， 只能停留在成熟芯片领域 。
可让美霸权主义做梦也想不到的是 ， 即便没有中高端光刻机 ， 华为等中企通过小芯片和超线程等创新技术 ， 依然打破了封锁 。 对此 ， 就连ASML也公开发声 ， 称华为和中芯国际在芯片方面进步巨大 。
不过 ， ASML又话锋一转 ， 称华为和中芯国际虽然进步很大 ， 可由于缺少EUV光刻机 ， 与台积电、三星和英特尔相比 ， 仍然存在10-15年的差距 。
个人认为 ， ASML的这番表态多少夹杂了点私心 ， 毕竟 ， 它是全球目前唯一能生产EUV光刻机的厂商 ， 如果承认绕开该设备也能制造高精尖芯片 ， 那岂不是砸了自己的“饭碗”？以后谁还会花费数十亿去购买如此高昂复杂的设备 。
其实ASML很清楚 ， 单论制造技术 ， 其实中芯国际并不比任何竞争对手逊色 ， 但它为了渲染EUV光刻机的不可替代性、重申自身在领域内独一无二的地位 ， 只能以该设备为基础 ， 拿工艺、良率和稳定性来强调差距 。
但让ASML猝不及防的是 ， 反转竟来得如此之快 。 就在12月30日 ， 哈工大公布了一则关键信息 ， 由樊继壮教授团队研发的“放电等离子体极紫外光刻光源”项目 ， 荣获了科技大赛的一等奖！
对于正处爬坡破冰阶段的国内光刻机产业而言 ， 该技术的突破可谓意义重大 ， 它所提供的中心波长为13.5nm的极紫外光 ， 能够满足极紫外光刻市?。 ‥UV）对光源的迫切需求 ， 不仅能量转化率高 ， 而且具备造价较低、体积较小、技术难度较低等多项优势 。
值得一提的是 ， 除了哈工大 ， 此前长春光机所在EUV光源领域也取得了不俗的研发成果 ， 只是两者方式不同 ， 哈工大采用的是放电等离子技术 ， 而长传光机所则是通过激光等离子的方式 ， 完成了对EUV光源的制备 。
国内经过数年的沉淀 ， 已经扭转了当初在EUV光刻机方面十分被动的“卡脖子”局面 。 就拿光源来说 ， 我们不仅实现了突破 ， 而且现在手握两套可替代方案 。 更让人感到振奋的是 ， 在EUV的其他核心技术 ， 如双工件台系统、物镜、EUV多层膜等方面 ， 国内企业与科研机构也积累了大量的技术专利 。
对此 ， 不少外媒纷纷表示 ， 中国芯崛起的脚步 ， 基本已经挡不住了 ， 也许用不了几年 ， 美西方构筑的包括EUV光刻机在内的所有垄断 ， 将会被中国全面打破 。 很显然 ， ASML担心的情况还是出现了 。
【哈工大公布关键消息，ASML猝不及防，外媒：基本挡不住了】由于无法对大陆市场提供EUV设备 ， ASML本就白白损失了巨额利润 ， 而一旦大陆市场拥有属于自己的EUV ， 并且实现了量产 ， 那么该设备迟早会像曾经的盾构机一样被打成白菜价 ， 届时 ， 不只是美半导体供应商 ， 还有ASML等设备厂商 ， 恐怕都将迎来至暗时刻 。
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